[发明专利]一种非接触卡调制电路有效
申请号: | 201210235192.5 | 申请日: | 2012-07-09 |
公开(公告)号: | CN103544521A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 石道林 | 申请(专利权)人: | 国民技术股份有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 薛祥辉 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接触 调制 电路 | ||
1.一种非接触卡调制电路,其特征在于,包括:调制单元和控制单元,其中,
调制单元用于对所述非接触卡待发出的数据信号进行调制;
控制单元用于对所述调制单元的调制强度进行调整。
2.如权利要求1所述的非接触卡调制电路,其特征在于,所述非接触卡调制电路还包括第一天线电路,所述第一天线电路用于感应读卡器设备发出的磁场产生第一下拉电流,并将所述第一下拉电流传输给所述调制单元;所述调制单元用于控制所述第一下拉电流实现对所述数据信号进行调制;控制单元用于通过调整所述第一下拉电流对所述调制单元的调制强度进行调整。
3.如权利要求2所述的非接触卡调制电路,其特征在于,所述调制单元用于控制所述第一下拉电流的通断实现对所述数据信号进行调制,并且当所述第一下拉电流导通时,调制单元根据所述第一下拉电流对所述数据信号进行调制。
4.如权利要求3所述的非接触卡调制电路,其特征在于,所述控制单元用于根据所述第一下拉电流,产生控制电流,并通过所述控制电流调整所述第一下拉电流。
5.如权利要求4所述的非接触卡调制电路,其特征在于,所述控制单元包括同步电流子单元和电流控制子单元;所述同步电流子单元用于根据所述第一下电流,产生与所述第一下拉电流呈同步变化的第二下拉电流;所述电流控制子单元用于根据所述第二下拉电流,产生控制电流,并通过所述控制电流调整所述第一下拉电流。
6.如权利要求5所述的非接触卡调制电路,其特征在于,所述电流控制子单元用于通过使所述第一下拉电流与所述控制电流成正比变化的方式,来调整所述第一下拉电流。
7.如权利要求1-6任一项所述的非接触卡调制电路,其特征在于,所述控制单元还包括调整子单元;所述调整子单元用于对所述控制单元的调整幅度进行限制。
8.如权利要求7所述的非接触卡调制电路,其特征在于,所述调整子单元用于当所述第二下拉电流值增加到预设电流阀值范围内时,减小所述控制电流。
9.如权利要求8所述的非接触卡调制电路,其特征在于,所述调整子单元包括第一PMOS管;所述第一PMOS管的栅极接参考电压VC,漏极与所述同步电流子单元相连,源极与所述同步电流子单元相连。
10.如权利要求9所述的非接触卡调制电路,其特征在于,所述调制单元包括第一NMOS管;所述第一NMOS管的漏极与所述第一天线电路相连,所述第一NMOS管的源极接地,栅极与所述控制单元相连。
11.如权利要求10所述的非接触卡调制电路,其特征在于,所述电流控制子单元包括:第二PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管;所述第二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极相连,所述第二PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连,所述第二PMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极相连;所述第二NMOS管的源极接地,所述第二PMOS管和第二NMOS管的栅极接收所述非接触卡待发出的数据信号;所述第三NMOS管的栅极和漏极与所述第一NMOS管的栅极相连,所述第三NMOS管的源极接地。
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