[发明专利]发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201210235306.6 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103545300A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 叶辅湘;林新强;曾文良;张洁玲 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构，其包括：
第一发光二极管芯片，其发出的光具有第一波长；
第二发光二极管芯片，其发出的光具有第二波长，该第一波长与第二波长均分布在380纳米至480纳米之间，且该第一波长与第二波长之差小于等于15纳米；以及
荧光粉，该荧光粉位于该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片的出光路径上，该荧光粉的激发波长分布在550纳米至560纳米之间，该荧光粉在第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片发出的光的激发下，将该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片发出的光的波长进行转换。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一发光二极管芯片的第一波长与该第二发光二极管芯片的第二波长均分布在450纳米至452.5纳米之间，且该荧光粉的激发波长为550纳米。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一发光二极管芯片的第一波长与该第二发光二极管芯片的第二波长均分布在455纳米至457.5纳米之间，且该荧光粉的激发波长为555纳米。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一发光二极管芯片的第一波长与该第二发光二极管芯片的第二波长均分布在460纳米至462.5纳米之间，且该荧光粉的激发波长为560纳米。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，进一步包括基板、设置在该基板上的反射杯以及封装体，该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片设置在该基板上，该反射杯环绕该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片，该封装体收容于该反射杯内，且位于该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片的出光面，该荧光粉分布在该封装体中。
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