[发明专利]基于线性阵列多芯光纤的二维集成式光纤在线存储器有效
申请号: | 201210235572.9 | 申请日: | 2012-07-09 |
公开(公告)号: | CN102737713A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 关春颖;史金辉;温耀武;苑立波 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 线性 阵列 光纤 二维 集成 在线 存储器 | ||
1.一种基于线性阵列多芯光纤的二维集成式光纤在线存储器,其特征是:由单模光纤(7)连接一段阵列多芯侧抛光纤(2)构成,利用光学微加工技术在裸露的多个纤芯(3)表面形成金属梯度光栅结构(4)。
2.根据权利要求1所述的基于线性阵列多芯光纤的二维集成式光纤在线存储器,其特征是:所述梯度金属光栅结构(4)是在侧抛光纤纤芯表面直接制作突起的梯度金属光栅结构;或是埋入式金属光栅结构,即先利用光刻技术在侧抛光纤纤芯表面刻梯度光栅结构的微槽,然后将金属沉积在微槽中。
3.根据权利要求2所述的基于线性阵列多芯光纤的二维集成式光纤在线存储器,其特征是:所述梯度金属光栅结构是指金属光栅周期Λ和金属光栅单元(5)的栅宽t是定值,金属光栅单元(5)的栅高h是梯度变化的。
4.根据权利要求3所述的基于线性阵列多芯光纤的二维集成式光纤在线存储器,其特征是:金属光栅结构(4)周期Λ范围200-700纳米,金属光栅单元(5)的栅高h为5-1000纳米,金属光栅单元(5)的栅宽t为10-300纳米。
5.根据权利要求4所述的基于线性阵列多芯光纤的二维集成式光纤在线存储器,其特征是:阵列多芯光纤与单模光纤的耦合是在阵列多芯光纤梯度金属光栅高度h较小的一侧与单模光纤通过熔融拉锥在来实现的。
6.根据权利要求5所述的基于线性阵列多芯光纤的二维集成式光纤在线存储器,其特征是:阵列多芯侧抛光纤(2)的各个纤芯上的金属梯度光栅结构具有相同的梯度。
7.根据权利要求5所述的基于线性阵列多芯光纤的二维集成式光纤在线存储器,其特征是:阵列多芯侧抛光纤(2)的各个纤芯上的金属梯度光栅结构的梯度不同。
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