[发明专利]一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料构成；

漂移层，为第一导电半导体材料构成，位于衬底层之上；多个

沟槽结构，沟槽位于漂移层中，漂移层中临靠沟槽内壁区域设置有第二导电半导体材料，沟槽内下部填充有绝缘材料，沟槽内上部填充半导体材料；

肖特基势垒结，位于漂移层第一导电半导体材料上表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的半导体材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层可以为高浓度杂质掺杂的半导体材料层和低浓度杂质掺杂的半导体材料层的叠加层。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内下部填充的绝缘材料可以为二氧化硅。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内上部填充半导体材料为多晶半导体材料。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二导电半导体材料侧壁可以直接与沟槽内上部填充半导体材料相连。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二导电半导体材料侧壁与沟槽内上部填充半导体材料之间也可以具有绝缘材料层进行隔离。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二导电半导体材料与漂移层第一导电半导体材料可以形成电荷补偿结构。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结为势垒金属与第一导电半导体材料形成的势垒结。

10.如权利要求1所述的一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成绝缘材料层；

2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

3)在沟槽内进行第二导电杂质扩散；

4)在沟槽内淀积绝缘材料，反刻蚀绝缘材料，淀积多晶半导体材料，反刻蚀多晶半导体材料，去除表面绝缘材料；

5)淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。