[发明专利]包括具有突出体的接触片的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

引线框，包括晶片焊垫和第一引线；

半导体芯片，包括第一电极，所述半导体芯片置于所述晶片焊垫之上；以及

接触片，包括第一接触区和第二接触区，所述第一接触区置于所述第一引线之上，所述第二接触区置于所述半导体芯片的所述第一电极之上，其中，多个突出体从各所述第一接触区和第二接触区延伸，并且每个所述突出体具有至少5μm的高度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体芯片是功率半导体芯片。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极设置在所述半导体芯片的第一表面上，并且所述半导体芯片还包括设置在所述半导体芯片的第二表面上的第二电极，所述第一表面与所述第二表面相对。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述半导体芯片以所述第二表面面向所述晶片焊垫而置于所述晶片焊垫之上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述引线框还包括电耦接至所述晶片焊垫的第二引线。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，各所述第一接触区和第二接触区具有梳状形状。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：在所述接触片的所述第一接触区与所述第一引线之间的第一焊接材料层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，部分所述第一焊接材料层是设置在所述接触片的所述突出体与所述第一引线之间的金属间相。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述金属间相具有高于所述焊接材料的剩余部分的熔化温度。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，焊接材料设置在两个相邻的金属间相之间。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：在所述接触片的所述第二接触区与所述半导体芯片的所述第一电极之间的第二焊接材料层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，部分所述第二焊接材料层是设置在所述接触片的所述突出体与所述半导体芯片的所述第一电极之间的金属间相，并且其中，所述金属间相具有高于所述焊接材料的剩余部分的熔化温度。

13.一种半导体器件，包括：

引线框，包括晶片焊垫和第一引线；

功率半导体芯片，包括第一表面上的第一电极以及在与所述第一表面相对的第二表面上的第二电极，所述功率半导体芯片以所述第二表面面向所述晶片焊垫而置于所述晶片焊垫之上；

接触片，包括第一接触区和第二接触区，所述第一接触区置于所述第一引线之上，所述第二接触区置于所述功率半导体芯片的所述第一电极之上，其中多个突出体从各所述第一接触区和第二接触区延伸，并且每个所述突出体具有至少5μm的高度；

第一扩散焊接连接部，设置在所述接触片的所述第一接触区与所述第一引线之间；以及

第二扩散焊接连接部，设置在所述接触片的所述第二接触区与所述功率半导体芯片的所述第一电极之间。

14.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供包括晶片焊垫和第一引线的引线框、包括第一电极的半导体芯片、以及包括第一接触区和第二接触区的接触片，其中，多个突出体从各所述第一接触区和第二接触区延伸，并且每个所述突出体具有至少5μm的高度；

将所述半导体芯片附接至所述晶片焊垫；以及

利用扩散焊接工艺将所述第一接触区附接至所述第一引线以及将所述第二接触区附接至所述半导体芯片的所述第一电极。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过使用扩散焊接工艺执行将所述半导体芯片附接至所述晶片焊垫。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，将所述第一接触区附接至所述第一引线以及将所述第二接触区附接至所述半导体芯片的所述第一电极包括：将所述引线框置于烤炉中不超过60秒。

17.根据权利要求14所述的方法，还包括：在将所述半导体芯片附接至所述晶片焊垫之后并且将所述第一接触区附接至所述第一引线之前以及将所述第二接触区附接至所述半导体芯片的所述第一电极之前，在所述第一引线上沉积第一焊接材料层以及在所述半导体芯片的所述第一电极上沉积第二焊接材料层。