[发明专利]一种二氧化钛基导电薄膜的制备方法无效
申请号: | 201210236458.8 | 申请日: | 2012-07-10 |
公开(公告)号: | CN102732879A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 宋晨路;王菊;刘涌;韩高荣;杨振辉;王慷慨;苏婷 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C23C26/00 | 分类号: | C23C26/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 导电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钛基导电薄膜的制备方法,包括如下的步骤:
1) 将基板清洗干净;
2)将钛酸四丁酯和乙酰丙酮放入乙醇中,搅拌混合,得到A溶液;将乙酸和水放入乙醇中,搅拌混合,得到B溶液;上述钛酸四丁酯:水:乙酰丙酮:乙酸的摩尔比为1:6:0.3:0.2;
3)将步骤2)中的B溶液逐滴加入A溶液中,搅拌混合均匀,配置浓度为0.01M~0.5M溶胶;
4) 将步骤3)中得到的溶胶在室温下陈化22h以上,得到凝胶;
5) 利用旋涂仪将凝胶旋涂在步骤1)的基板上,干燥,挥发除去乙醇,得到干膜;
6) 将步骤5)得到的干膜进行热处理,热处理温度≥400℃,真空度不低于10-3Pa,保温时间为30 min~120min。
2. 根据权利要求1所述的二氧化钛基导电薄膜的制备方法,其特征是所述的基板是玻璃载玻片、石英玻璃或硅片。
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