[发明专利]一种含In4Sn3O12相ITO溅射靶的制造方法

权利要求书

1.一种含In₄Sn₃O₁₂相ITO溅射靶的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将经过热处理的氧化铟与氧化锡粉末混合得到混合物；

(2)在混合物中加入去离子水和分散剂，调成浆料后进行球磨、混料；

(3)然后再加入粘结剂和保湿剂湿式球磨；

(4)然后再加入消泡剂搅拌后真空脱泡，静置后调节浆料的PH值至8.5及以上；

(5)然后将浆料浇注成型；

(6)将成型体干燥后脱脂；

(7)对脱脂后的成型体进行烧结制得ITO溅射靶。

2.如权利要求1所述的一种含In₄Sn₃O₁₂相ITO溅射靶的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)首先对原料氧化铟纳米粉末和氧化锡纳米粉末进行热处理，热处理温度700-1200℃，热处理时间0.5小时～10小时。

(2)将热处理后的原料氧化铟纳米粉末和氧化锡纳米粉末按质量比90∶10混合，球磨10～50小时，再加入15～40质量％的去离子水一起放进球磨罐里进行球磨粉碎和混合，球磨时间7-18小时，然后向浆料中加入0.1～3质量％分散剂，继续球磨0.5-7小时；

(3)球磨后加入占步骤(2)中浆料0.1～5质量％的粘结剂、0.01～0.5质量％的保湿剂、0.01～0.5质量％的润滑剂湿式球磨3-8小时；

(4)湿式球磨后加入占步骤(2)中浆料0.05～0.5质量％的胺、聚醚类或有机硅类消泡剂中的一种，进行搅拌真空脱泡，搅拌0.5～6小时后室温静置0.5～3小时；再添加占步骤(2)中浆料0.5质量％及以下的苯乙烯酸、三乙醇胺、乙胺、氢氧化四甲基胺中的至少一种调节浆料的PH值至8.5及以上；

(5)将脱泡后的浆料通过模具浇铸成型；

(6)脱模后对成型体进行恒温恒湿干燥，干燥的相对湿度控制在30％～90％，干燥时间为50～70小时，干燥温度为0～50℃，干燥完成后进行脱脂，脱脂温度为400～600℃，脱脂时间为40～120小时；

(7)最后将脱脂后的成型体进行烧结即制得ITO靶材，烧结温度1400℃～1650℃，其中在1250～1450℃时保温3～8小时，此时为氧气气氛，压强控制在0.4～1.5atm，然后升温至1500～1650℃继续烧结，保温0.5～3小时，此时烧结气氛为氧气气氛，压强控制在1.0～2.5atm；第二次保温结束后保持压强不变的情况下置换为氮气，然后水冷降温即可。

3.如权利要求1所述的一种含In₄Sn₃O₁₂相ITO溅射靶的制造方法，其特征在于：步骤(1)中热处理后，选择比表面积4.6m²/g～14.6m²/g的氧化铟粉末，比表面积8.1m²/g～14.6m²/g的氧化锡粉末作为原料。

4.如权利要求1所述的一种含In₄Sn₃O₁₂相ITO溅射靶的制造方法，其特征在于：步骤(2)中分散剂为聚碳酸酯。

5.如权利要求1所述的一种含In₄Sn₃O₁₂相ITO溅射靶的制造方法，其特征在于：步骤(2)中加入去离子水和分散剂后浆料浓度60-85质量％。

6.如权利要求1所述的一种含In₄Sn₃O₁₂相ITO溅射靶的制造方法，其特征在于：步骤(3)中粘结剂采用聚乙烯醇、丙烯系聚合物或丙烯酸乳液；保湿剂采用苯氧乙醇、乙醇、丙三醇或非离子表面活性剂中的一种，润滑剂采用单甘酯。

7.如权利要求1所述的一种含In₄Sn₃O₁₂相ITO溅射靶的制造方法，其特征在于：步骤(4)和(5)中采用真空脱泡搅拌机脱泡后进行压力注浆，浆料粘度控制在1000～7500mPa·s。