[发明专利]一种多晶硅生产工艺及用于该工艺的生产系统有效
| 申请号： | 201210236855.5 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102745694A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 齐林喜;郭金强;郝爱科;张文奎;朱涛;邢仕益 | 申请（专利权）人： | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 | 代理人： | 谢亮;赵德兰 |
| 地址： | 015543 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生产工艺 用于 工艺 生产 系统 | ||
1.一种多晶硅生产工艺，包括将精三氯氢硅与氢气按比例混合作为混合气进料通入CVD还原炉，其特征在于：包括如下步骤，
混合气进料依次通过鼓泡式汽化器、出入器换热器、串联的CVD还原炉主炉和CVD还原炉辅炉；
经过CVD还原炉辅炉排出的终极尾气换热后进入CVD还原炉主炉，在CVD还原炉主炉内硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为中间尾气；
中间尾气再混合补充的精三氯氢硅气体后接着进入CVD还原炉辅炉，在CVD还原炉辅炉内的硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为终极尾气；
终极尾气出炉后与混合气进料换热后再进入还原尾气回收系统。
2.如权利要求1所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：进入CVD还原炉主炉的氢气与精三氯氢硅摩尔比为4~3：1。
3.如权利要求2所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：进入CVD还原炉主炉的氢气与精三氯氢硅摩尔比为3：1。
4.如权利要求3所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：CVD还原炉主炉的混合气进气量从175m3/h逐渐提高至2300m3/h，CVD还原炉主炉混合气进气温度为初始温度51℃,逐步增加至313℃。
5.如权利要求2所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：进入CVD还原炉主炉的氢气与精三氯氢硅摩尔比为3.5：1。
6.如权利要求5所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：CVD还原炉主炉的混合气进气量从197m3/h逐渐提高至2587.5m3/h，CVD还原炉主炉混合气进气温度为初始温度53℃,逐步增加至331℃。
7.如权利要求2所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：进入CVD还原炉主炉的氢气与精三氯氢硅摩尔比为4:1。
8.如权利要求7所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：CVD还原炉主炉的混合气进气量从219m3/h逐渐提高至2875m3/h，CVD还原炉主炉混合气进气温度为初始温度54℃,逐步增加至343℃。
9.如权利要求1所述的多晶硅生产工艺，其特征在于：CVD还原炉主炉内的硅芯表面温度控制在1100~1200℃。
10.如权利要求1所述的多晶硅生产工艺，其特征在于： CVD还原炉辅炉内的硅芯表面温度控制在1000~1100℃。
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