[发明专利]半导体二极管侧面泵浦腔内倍频紫外激光器及其方法无效
申请号: | 201210236934.6 | 申请日: | 2012-07-10 |
公开(公告)号: | CN102738695A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 刘崇;董延涛;葛剑虹;项震 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01S3/16 | 分类号: | H01S3/16;H01S3/081;H01S3/0941;H01S3/10 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 二极管 侧面 泵浦腔内 倍频 紫外 激光器 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体二极管侧面泵浦的腔内倍频紫外激光器及其方法。
背景技术
紫外激光具有波长短、聚焦性能好、光子能量高和冷处理等特点,还能激发特定的光化学反应,因而在下一代超高密度光驱、精细材料加工、光印刷、医疗、环境监测、光谱分析和科学研究等领域有重要的应用。与传统的产生紫外激光的染料激光器、准分子激光器、N2激光器以及三、四倍频闪光灯泵浦固体激光器相比,半导体二极管(LD)泵浦的全固态紫外激光器体积小、价格低、效率高、寿命长、可靠性高、重复率高、光束质量好、功率稳定且使用维护方便,因此,对全固态紫外激光器的研究是一个十分重要的课题,己经成为近年来激光研究和应用领域的一个热点。固体激光的波长几乎都在近红外区,很难利用固体激光器直接产生紫外激光。现在产生全固态紫外激光的方法是利用非线性晶体,将固体激光器产生的近红外光进行倍频、和频等频率变换后输出紫外激光。其中利用非线性晶体对1064nm近红外激光进行倍频或和频产生紫外激光是一种非常有效的方法。
由于LD泵浦全固态紫外激光器广阔的应用前景和潜在的巨大市场,国际上许多国家都竞相开展对这种激光器的研究与产品开发。日本的Mitsubishi Electric公司、Sony公司Kubota光电实验室,美国Coherent公司、Spectra-physics公司等相继推出了各自的全固态紫外激光器产品,最大输出功率超过了30W。我国在全固态紫外激光器方面起步较晚,研究水平与国外差距较大,很多都局限于实验结果,而很少将其转换为产品,目前输出功率大于10 W的产品级紫外激光器很罕见。因此,研究开发大功率全固态紫外激光器对于推动民族经济,实现自创品牌具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供了一种半导体二极管侧面泵浦的腔内倍频紫外激光器及其方法。
半导体二极管侧面泵浦的腔内倍频紫外激光器包括顺次相连的第一全反射镜、第一侧泵模块、第一透镜、第二透镜、90°旋光器、第二侧泵模块、声光Q开关、偏振片、第二全反射镜、波片、二倍频晶体、和频晶体和第三全反射镜;其中第一全反射镜和第三全反射镜组成了基频激光谐振腔,第一侧泵模块和第二侧泵模块通过第一透镜、第二透镜、90°旋光器进行热致双折射补偿后,产生的基频激光被声光Q开关调制成脉冲光,基频激光经过偏振片和第二全反射镜反射后依次通过波片、二倍频晶体、和频晶体,产生的紫外激光从和频晶体的尾端输出。
半导体二极管侧面泵浦的腔内倍频紫外激光产生方法是:将腔内双侧泵模块串接结构和腔内倍频的方法相结合,使用第一全反射镜、偏振片、第二全反射镜、和第三全反射镜组成基频激光谐振腔,利用大功率的第一侧泵模块和第二侧泵模块在腔内串接产生基频激光,并在之间加入第一透镜、第二透镜,使第一侧泵模块和第二侧泵模块相互成像,再加入90°旋光器,使第一侧泵模块和第二侧泵模块中光场的径向和切向分量相互调换,这样径向和切向分量之间会引入相反的相位差,从而实现对热致双折射效应的补偿;利用声光Q开关对基频激光进行调制产生脉冲激光,调制后的基频激光通过偏振片产生偏振光并被反射,之后被第二全反射镜反射,经波片改变偏振方向后,进入到二倍频晶体倍频,再通过和频晶体产生紫外激光,和频晶体的一端以布儒斯特角切割,这样既减少腔内损耗,又作为紫外激光的输出端,降低对腔镜镀膜的要求。
本发明利用大功率的侧面泵浦Nd:YAG模块发展成熟,输出功率大,性能稳定,可为频率转换提供足够的基频光能量。由于Nd:YAG晶体体积较大,所以一般侧泵激光器的输出光束质量较差,而且输出光并不是线偏振光。为此,我们通过对谐振腔的设计,很好的控制了腔内激光的尺寸大小,从而可以大大改善1064 nm激光的光束质量。另外我们通过加入偏振片和补偿热致双折射效应等手段,得到了倍频所需的线偏振光。紫外激光在和频晶体布儒斯特角切割的一端发生偏折从而形成激光输出,这种耦合输出的方式可明显降低损耗,同时降低了对腔镜和晶体的镀膜要求,使激光器寿命更长,运行更加稳定。
附图说明
图1是半导体二极管侧面泵浦紫外激光器结构示意图;
图2是实施例1中所得355nm激光输出功率随泵浦电流的变化曲线;
图3是实施例1中所得355nm激光在最高输出功率时的远场光斑图;
图4是实施例1中所得355nm激光在最高输出功率时测量所得的光束质量M2因子。
具体实施方式
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