[发明专利]单电子晶体管核心结构制备方法及单电子晶体管核心结构

权利要求书

1.一种单电子晶体管核心结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

a、构建二维DNA基底；

b、用单链DNA对纳米颗粒进行修饰，并用与修饰纳米颗粒的单链DNA不同的单链DNA对第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒进行修饰；

c、将经单链DNA修饰过的第一金纳米棒、第二金纳米棒、第三金纳米棒和纳米颗粒与二维DNA基底进行杂交，从而在二维DNA基底上形成由第一金纳米棒、第二金纳米棒、第三金纳米棒和纳米颗粒形成的单电子晶体管核心结构，

其中，二维DNA基底上连接有伸出二维DNA基底平面的与修饰纳米颗粒、第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒的单链DNA互补的单链DNA探针，与修饰第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒中的一个金纳米棒的单链DNA互补的单链DNA探针是在二维DNA基底上成直线排列的多条单链DNA探针。

2.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构的制备方法，其特征在于，与修饰纳米颗粒的单链DNA互补的单链DNA探针至少为三条，且所述至少三条单链DNA探针的序列相同。

3.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构的制备方法，其特征在于，在二维DNA基底上成直线排列的多条单链DNA探针至少为六条，且所述至少六条单链DNA探针的序列相同。

4.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构的制备方法，其特征在于，通过DNA自组装技术来构建二维DNA基底。

5.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构的制备方法，其特征在于，所述纳米颗粒为金纳米颗粒、银纳米颗粒或量子点。

6.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构的制备方法，其特征在于，纳米颗粒的直径小于等于5nm。

7.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构的制备方法，其特征在于，在步骤b中用单链DNA对纳米颗粒、第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒修饰之后，将多余的单链DNA除去。

8.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构的制备方法，其特征在于，在步骤b中，用于修饰纳米颗粒、第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒的单链DNA为巯基DNA。

9.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构的制备方法，其特征在于，在步骤c中的杂交温度低于二维DNA基底的解链温度。

10.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括纯化单电子晶体管核心结构的步骤。

11.一种单电子晶体管核心结构，其特征在于，所述单电子晶体管核心结构形成在二维DNA基底上并包括作为库伦岛的纳米颗粒、作为源极的第一金纳米棒、作为漏极的第二金纳米棒和作为栅极的第三金纳米棒，

其中，纳米颗粒通过DNA链连接到二维DNA基底上，第一金纳米棒、第二金纳米棒和第三金纳米棒通过与连接纳米颗粒的DNA链不同的多条DNA链连接到二维DNA基底上，

其中，与第一金纳米棒连接的多条DNA链、与第二金纳米棒连接的多条DNA链和与第三金纳米棒连接的多条DNA链在二维DNA基底上分别成直线排列。

12.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构，其特征在于，与纳米颗粒连接的DNA链至少为三条，且所述至少三条DNA链的序列相同。

13.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构，其特征在于，在二维DNA基底上成直线排列的多条DNA链至少为六条，且所述至少六条DNA链的序列相同。

14.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构，其特征在于，纳米颗粒为金纳米颗粒、银纳米颗粒或量子点。

15.如权利要求1所述的单电子晶体管核心结构，其特征在于，纳米颗粒的直径小于等于5nm。