[发明专利]一种功率晶体管

权利要求书

1.一种功率晶体管，其特征在于，所述功率晶体管至少包括：

外延层结构，包括：

第一导电类型的漏区；

第一导电类型的漂移区，结合于所述漏区；

第二导电类型的沟道区，结合于所述漂移区；

第一导电类型的源区，结合于所述沟道区；

两个深沟槽结构，间隔形成于所述外延层结构中，所述深沟槽结构从所述源区表面垂向延伸至所述漂移区，并从所述外延层一侧面纵向呈直线延伸至与该侧面相对的另一侧面；

沟槽栅结构，形成于所述两深沟槽结构之间的外延层结构中，包括从所述源区表面垂向延伸至所述漂移区，从所述外延层一侧面纵向呈折线延伸至与该侧面相对的另一侧面的栅区沟槽、结合于所述栅区沟槽表面的栅氧层、以及填充于所述栅氧层表面的栅极材料，且所述栅区沟槽包括于纵线延伸的第一段、连接所述第一段且于横向延伸的第二段以及连接所述第二段且于纵向延伸的第三段；

源区电极，分别形成于所述栅区沟槽中第二段的两侧，且所述源区电极同时与所述源区及所述沟道区电性接触。

2.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于：所述栅氧层为SiO₂层，栅极材料为多晶硅材料。

3.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于：所述深沟槽结构包括从所述源区表面垂向延伸至所述漂移区，从所述外延层一侧面纵向呈直线延伸至与该侧面相对的另一侧面的两个深沟槽、结合于所述深沟槽表面的氧化层、填充于所述氧化层内的电极材料及与所述电极材料电性连接的深沟槽电极。

4.根据权利要求3所述的功率晶体管，其特征在于：所述氧化层的厚度为0.3~0.6um。

5.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于：所述深沟槽结构包括从所述源区表面垂向延伸至所述漂移区，从所述外延层一侧面纵向呈直线延伸至与该侧面相对的另一侧面的两个深沟槽、填充于所述深沟槽内的第二导电类型材料及与第二导电类型材料电性连接的深沟槽电极。

6.根据权利要求5所述的功率晶体管，其特征在于：所述第二导电类型材料为第二导电类型的多晶硅材料。

7.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于：所述第一导电类型为N型导电类型，所述第二导电类型互为P型导电类型。

8.根据权利要求7所述的功率晶体管，其特征在于：所述漏区为重掺杂的N型半导体材料，所述漂移区为轻掺杂的N型半导体材料，所述沟道区为重掺杂的P型半导体材料，所述源区为重掺杂的N型半导体材料。

9.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于：所述功率晶体管还包括覆盖于所述源区、沟槽栅结构及深沟槽结构表面的保护层。