[发明专利]一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法

权利要求书

1.一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法，其步骤是：

(1)将硅(100)单晶片置于多点接触板垂直下方位置，再使硅(100)单晶片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触，并达到设定的接触载荷F；其中，多点接触板的具体构成是：基底上固定有多个曲率半径为500nm～250μm的微球，多个微球的顶点处于同一平面上；

(2)在设定的接触载荷F下，使多点接触板和硅(100)单晶片按照设定轨迹相对运动，使多点接触板对硅(100)单晶片进行刻划；

(3)刻划完成后，使硅(100)单晶片脱离多点接触板，再将硅(100)单晶片放入质量分数为15～25％的KOH溶液中，腐蚀3～8分钟，即得到具有设定结构的硅(100)单晶片纳米压印模具。

2.根据权利要求1所述的一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法，其特征在于，所述的步骤(2)的刻划过程中，所述的硅(100)单晶片与多点接触板始终保持平行。

3.根据权利要求1所述的一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法，其特征在于，所述的设定的接触载荷F为1～600mN/微球。