[发明专利]一种基于液晶材料的可调谐超材料光镊有效

专利信息
申请号: 201210237508.4 申请日: 2012-07-10
公开(公告)号: CN102736274A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 曹暾 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G02F1/01 分类号: G02F1/01;G21K1/00
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 李宝元;梅洪玉
地址: 116024*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 液晶 材料 调谐
【权利要求书】:

1.一种基于液晶材料的可调谐超材料光镊,其特征在于,该超材料是基于多层结构(2)的周期孔阵列;所述的多层结构(2)是通过在玻璃衬底(1)上生长金属层(3)、液晶材料层(4)、金属层(3)和氧化层(5)而成,金属层的宽度在1微米至2厘米、高度在20纳米至10微米,液晶材料层宽度在1微米至2厘米、高度在20纳米至10微米;氧化层宽度在1微米至2厘米、高度在1纳米至1微米;所述的周期性孔矩阵孔(7)是三角形、方形、圆形、椭圆形、弧形、十字形、六边形;孔的宽度在20纳米至1微米,高度在60纳米至30微米。

2.根据权利要求1所述的可调谐超材料光镊,其特征在于,金属层是Al、Ag、Au、Cu、Ni。

3.根据权利要求1所述的可调谐超材料光镊,其特征在于,液晶材料层是向列相液晶,近晶相液晶,胆甾相液晶,碟型液晶,热致液晶,重现性液晶,手性液晶,负性液晶,端烯类液晶,嘧啶类液晶,含氟类液晶,炔类液晶,乙烷类液晶,苯基环己烷类液晶。

4.根据权利要求1所述的可调谐超材料光镊,其特征在于,氧化层是In2O3,SnO2,ITO。

5.根据权利要求1所述的可调谐超材料光镊,其特征在于,多层结构通过材料生长工艺实现,包括电子束蒸发、金属有机化合物化学气相沉淀、气相外延生长、分子束外延。

6.根据权利要求1所述的可调谐超材料光镊,其特征在于,周期性孔矩阵通过干法或者湿法刻蚀工艺实现,包括电子束曝光、聚焦离子束曝光、反应离子束刻蚀。

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