[发明专利]控制沟道厚度的FinFET设计

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

衬底；

在所述衬底上凸起的鳍状件；所述鳍状件包括：

内部部分，具有第一带隙和第一晶体取向；以及

外部部分，在所述内部部分的顶面和侧壁上，所述外部部分具有第二带隙和第二晶体取向，所述第二带隙小于或等于所述第一带隙。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二晶体取向与所述第一晶体取向相同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述鳍状件还包括在所述内部部分与所述外部部分之间的中间部分，所述中间部分具有第三带隙和第三晶体取向，所述第三带隙大于所述第一带隙。

4.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

衬底；

在所述衬底上凸起的鳍状件；所述鳍状件包括：

内部部分，具有第一晶体取向和第一浓度的掺杂物；以及

外部部分，在所述内部部分的顶面和侧壁上，所述外部部分具有第二晶体取向和第二浓度的掺杂物。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第二晶体取向与所述第一晶体取向相同。

6.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

衬底；

在所述衬底上的非平面型晶体管，所述非平面型晶体管包括：

具有第一晶体取向的鳍状件，所述鳍状件包括第一导电型的杂质；

在所述鳍状件内的源极区和漏极区，所述源极区包括第二导电型的杂质，所述第二导电型不同于所述第一导电型；以及

覆盖层，在所述鳍状件的顶面和侧壁上，所述覆盖层具有第二晶体取向和小于或等于所述鳍状件的带隙。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二晶体取向与所述第一晶体取向相同。

8.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底的顶面上形成半导体鳍状件；以及

在所述半导体鳍状件的顶面和侧壁上形成覆盖层，所述覆盖层的带隙小于或等于所述半导体鳍状件的带隙。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述覆盖层包括外延生长所述覆盖层。

10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

衬底；

在所述衬底上凸出的鳍状件，所述鳍状件包括：

内部部分，具有第一带隙和第一晶体取向；

中间部分，在所述内部部分的顶面和侧壁上，所述中间部分具有第二带隙和第二晶体取向，所述第二带隙大于所述第一带隙；以及

外部部分，在所述中间部分的顶面和侧壁上，所述外部部分具有第三带隙和第三晶体取向。