[发明专利]用于发光二极管(LED)串的电流匹配的系统和方法有效
申请号: | 201210237811.4 | 申请日: | 2012-07-10 |
公开(公告)号: | CN102791062A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 罗强;方烈义;陈志樑 | 申请(专利权)人: | 广州昂宝电子有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤 |
地址: | 510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学城*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 发光二极管 led 电流 匹配 系统 方法 | ||
1.一种用于调整流经一个或多个发光二极管(LED)串的串电流的系统控制器,该系统控制器包括:
第一控制器端子,被耦合到双极结型晶体管的基极端子,所述双极结型晶体管还包括发射极端子和集电极端子,所述集电极端子被连接到所述一个或多个LED串;
第二控制器端子,被耦合到所述双极结型晶体管的所述发射极端子和与电阻相关联的电阻器的第一电阻器端子;以及
第三控制器端子,被耦合到所述电阻器的第二电阻器端子;
其中,所述系统控制器被配置为:
接收参考电压;
通过所述第二控制器端子接收来自所述双极结型晶体管的所述发射极端子的发射极电压;
基于至少与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述双极结型晶体管的所述基极端子有关的基极电流;
通过所述第二控制器端子接收与所述双极结型晶体管的所述发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流;以及
将所述发射极电压调整为在大小上等于所述参考电压。
2.如权利要求1所述的系统控制器,还被配置为将所述串电流调整为等于所述参考电压除以所述电阻。
3.如权利要求1所述的系统控制器,还被配置为:
至少基于与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出流到所述双极结型晶体管的所述基极端子的所述基极电流;以及
通过所述第二控制器端子接收从所述双极结型晶体管的所述发射极端子流来的所述第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流。
4.如权利要求3所述的系统控制器,其中,所述双极结型晶体管是NPN双极结型晶体管。
5.如权利要求1所述的系统控制器,还被配置为:
至少基于与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出从所述双极结型晶体管的所述基极端子流来的所述基极电流;以及
通过所述第二控制器端子接收流到所述双极结型晶体管的所述发射极端子流来的所述第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流。
6.如权利要求5所述的系统控制器,其中,所述双极结型晶体管是PNP双极结型晶体管。
7.如权利要求1所述的系统控制器,还包括:
误差放大器,被配置为接收所述参考电压和所述发射极电压并且至少基于与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息输出放大信号;
电流生成器,被配置为接收所述放大信号并且至少基于与所述放大信号相关联的信息生成所述基极电流;以及
电流镜组件,被配置为将所述第一电流调整为在大小上等于所述基极电流。
8.如权利要求7所述的系统控制器,其中,所述电流生成器包括第一晶体管,该第一晶体管包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子,所述第一晶体管端子被配置为接收所述放大信号,所述第三晶体管端子被耦合到所述第一控制器端子并被配置为输出所述基极电流。
9.如权利要求8所述的系统控制器,其中,所述电流镜组件包括:
第二晶体管,该第二晶体管包括第四晶体管端子、第五晶体管端子和第六晶体管端子;
第三晶体管,该第三晶体管包括第七晶体管端子、第八晶体管端子和第九晶体管端子;
第四晶体管,该第四晶体管包括第十晶体管端子、第十一晶体管端子和第十二晶体管端子;以及
第五晶体管,该第五晶体管包括第十三晶体管端子、第十四晶体管端子和第十五晶体管端子;
其中:
所述第四晶体管端子被耦合到所述第七晶体管端子和所述第六晶体管端子;
所述第五晶体管端子被耦合到所述第八晶体管端子;
所述第六晶体管端子被耦合到所述第二晶体管端子;
所述第十晶体管端子被耦合到所述第十三晶体管端子和所述第十四晶体管端子;
所述第十一晶体管端子被耦合到所述第二控制器端子并被配置为接收所述第一电流;
所述第十二晶体管端子被耦合到所述第十五晶体管端子;以及
所述第十四晶体管端子被耦合到所述第九晶体管端子。
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