[发明专利]具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法有效
| 申请号： | 201210238276.4 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103545163B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 残留 半导体 结构 处理 方法 | ||
1.一种具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法，其特征在于，包括：
将半导体结构置于等离子体处理腔室内，向等离子体处理腔室中通入第一气体，所述第一气体包括轰击气体，使所述第一气体产生第一等离子体，利用所述第一等离子体对半导体结构进行脱氟处理或脱氯处理；
进行所述脱氟处理或脱氯处理之后，向等离子体处理腔室中通入第二气体，使所述第二气体产生第二等离子体，利用所述第二等离子体对半导体结构进行表面钝化处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述轰击气体包括Ar。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述脱氟处理或脱氯处理的工艺参数包括：Ar的流量为20sccm～500sccm，压强为5mTorr～200mTorr，功率为100W～1500W。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一气体还包括反应气体，所述反应气体包括H2。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述脱氟处理或脱氯处理的工艺参数包括：Ar的流量为20sccm～500sccm，H2的流量为20sccm～500sccm，压强为5mTorr～200mTorr，功率为100W～1500W。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二气体包括CH4及N2。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述表面钝化处理的工艺参数包括：CH4的流量为20sccm～500sccm，N2的流量为20sccm～500sccm，压强为5mTorr～200mTorr，功率为100W～1500W。
8.根据权利要求2至7任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体结构包括暴露在所述第一等离子体及第二等离子体下的铝垫。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体结构包括暴露在所述第一等离子体及第二等离子体下的铝垫，利用CH4及N2进行所述表面钝化处理之前，向等离子体处理腔室中通入O2，使O2产生等离子体，利用由O2产生的等离子体对半导体结构进行表面钝化处理。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，利用由O2产生的等离子体对半导体结构进行表面钝化处理的工艺参数包括：O2的流量为20sccm～500sccm，压强为5mTorr～200mTorr，功率为100W～1500W。
11.根据权利要求2至7任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体结构包括暴露在所述第一等离子体及第二等离子体下的图形化氮化钛层。
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