[发明专利]用于具有高k金属栅极的NFET的结构和方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

半导体衬底；

n型场效应晶体管(nFET)，形成在所述半导体衬底上并且具有包括高k介电层、位于所述高k介电层上的保护层、位于所述保护层上的p功函金属和位于所述p功函金属上的多晶硅层的第一栅叠层；以及

p型场效应晶体管(pFET)，形成在所述半导体衬底上并且具有包括所述高k介电层、位于所述高k介电层上的所述p功函金属和位于所述p功函金属上的金属材料的第二栅叠层。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述nFET进一步包括：在所述多晶硅部件上形成的硅化物部件。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述保护层包括氧化镧(LaO)。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述p功函金属包括氮化钛(TiN)。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述金属材料包括铝。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述nFET和所述pFET中的每一个都进一步包括：设置在所述半导体衬底和所述高k介电层之间的氧化硅的界面层。

7.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：电阻器，形成在所述半导体衬底上并且具有所述高k介电层、位于所述高k介电层上的所述p功函金属和位于所述p功函金属上的所述多晶硅部件。

8.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：至少一个伪栅极，形成在所述半导体衬底上并且具有所述高k介电层、位于所述高k介电层上的所述保护层、位于所述保护层上的所述p功函金属和位于所述p功函金属上的所述多晶硅部件。

9.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

n型场效应晶体管(nFET)，形成在所述半导体衬底上并且具有包括高k介电层、位于所述高k介电层上的保护层、位于所述保护层上的p功函金属、位于所述p功函金属上的多晶硅层和位于所述多晶硅层上的硅化物部件的第一栅叠层；

p型场效应晶体管(pFET)，形成在所述半导体衬底上并且具有包括所述高k介电层、位于所述高k介电层上的所述p功函金属和位于所述p功函金属上的金属材料的第二栅叠层；以及

伪栅极，形成在所述半导体衬底上并且具有所述高k介电层、位于所述高k介电层上的所述保护层、位于所述保护层上的所述p功函金属和位于所述p功函金属上的所述多晶硅部件。

10.一种方法，包括：

提供具有用于n型场效应晶体管(nFET)的第一区域、用于p型场效应晶体管(pFET)的第二区域和用于伪栅极的第三区域的半导体衬底；

在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的半导体衬底上形成高k介电层；

在所述第一区域和所述第三区域中的所述高k介电层上形成氧化镧保护层；

在所述第一区域和所述第三区域中的所述氧化镧层上以及在所述第二区域中的所述高k介电层上形成氮化钛层；

在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的钛层上形成多晶硅层；

图案化所述多晶硅层、所述氮化钛层、所述氧化镧层和所述高k介电层，以形成位于所述第一区域中的第一栅叠层、位于所述第二区域中的第二栅叠层以及位于所述第三区域中的伪栅叠层；以及

通过金属材料代替所述第二区域中的所述多晶硅层。