[发明专利]用于凸块对接合迹线比的结构和方法有效
| 申请号： | 201210238922.7 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102956609A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 余振华;郭庭豪;陈承先;李明机;吴胜郁;林彦良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 接合 结构 方法 | ||
1.一种集成电路，包括：
互连结构，形成在衬底上；
接合金属迹线，形成在所述互连结构上并且与所述互连结构连接，其中，所述接合金属迹线包括以第一方向限定的第一宽度T；以及
金属凸块柱，形成在所述接合金属迹线上并且与所述接合金属迹线对准，其中，所述金属凸块柱包括以所述第一方向限定的第二宽度U，并且所述第二宽度U大于所述第一宽度T。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一宽度T和所述第二宽度U限定大于或等于0.5并小于1的T/U比。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述T/U比大于或等于0.7并小于0.9。
4.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述T/U比大于或等于0.75并小于0.85。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述金属凸块柱包括以垂直于所述第一方向的第二方向限定的长度L，并且L/U比小于2。
6.一种方法，包括：
在衬底上形成互连结构；
在所述互连结构上形成接合金属迹线，其中，所述接合金属迹线包括以第一方向限定的第一宽度T；以及
在所述接合金属迹线上形成金属凸块柱，其中，所述金属凸块柱包括以所述第一方向限定的第二宽度U，并且所述第二宽度U大于所述第一宽度T。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属凸块柱的形成包括通过沉积和电镀中的至少一种形成铜柱。
8.根据权利要求6所述的方法，还包括在所述衬底上形成各种集成电路器件。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属凸块柱的形成包括形成具有大于或等于0.5并小于1的T/U比的金属凸块柱。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属凸块柱的形成包括形成具有选自圆柱形和圆锥形之一的形状的金属凸块柱。
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