[发明专利]一种采用虚设栅极制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种采用虚设栅极制造半导体器件的方法，包括步骤：

a)提供半导体衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

b)在所述第一区域的衬底上形成第一虚设栅极，在所述第二区域的衬底上形成第二虚设栅极，所述第一虚设栅极和第二虚设栅极包括依次堆栈的栅极介电层、覆盖层、栅极阻挡层和栅极电极层；

c)在所述衬底中形成源漏极；

d)采用湿法蚀刻去除所述第一虚设栅极的栅极电极层以形成沟槽；

e)填充所述沟槽形成金属栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤c）之后形成ILD于所述衬底和所述第一和第二虚设栅极上以及平坦化所述ILD以暴露所述第一虚设栅极和第二虚设栅极的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述平坦化步骤后形成ILD阻挡层于所述第二区域的ILD上和所述第二虚设栅极上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述形成ILD阻挡层于所述第二区域的ILD上和所述第二虚设栅极上,包括步骤：

形成ILD阻挡层于所述第一区域的ILD上和所述第一虚设栅极上和第二区域的ILD上和所述第二虚设栅极上；

去除所述第一区域的ILD上和所述第一虚设栅极上的ILD阻挡层。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括在形成所述沟槽后去除所述第二区域ILD上和所述第二虚设栅极上的ILD阻挡层的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其中使用SiN形成所述栅极电极层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中使用TaN或AlN形成所述栅极阻挡层。

8.根据权利要求3或4所述的方法，其中使用TiN、TaN或AlN形成所述ILD阻挡层。

9.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述ILD阻挡层的去除是干刻蚀或湿刻蚀的方法。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述湿刻蚀的方法包括使用SC-1。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述湿刻蚀使用H3PO4或HF。

12.根据权利要求3或4所述的方法，其中所形成的ILD阻挡层具有10-500埃的厚度。

13.根据权利要求4所述的方法，还包括在所述去除所述第一区域的ILD上和第一虚设栅极上的ILD阻挡层步骤之前执行光刻胶层图案化步骤。

14.根据权利要求13所述的方法，其中还包括在所述光刻胶层和所述ILD阻挡层之间形成BARC。

15.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底和所述虚设栅极之间形成界面层。

16.根据权利要求1所述的方法，其中使用高K材料形成所述栅极介电层。

17.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤b）之后，在所述虚设栅极的侧壁和衬底上形成偏移侧墙和间隙壁的步骤。