[发明专利]用于静电保护的高压NLDMOS结构

权利要求书

1.一种用于静电保护的高压NLDMOS结构，其特征在于：包括一N型LDMOS，形成于一硅衬底上方的N型埋层内；N型LDMOS排列成多指状结构；位于两个漏区之间的源区为共源区；

所述漏区的有源区内由N型有源区与P型有源区沿长度方向相间排布；

所述共源区内插入P型有源区，P型有源区嵌入在N型有源区内，P型有源区将源区内的N型有源区分别隔开；P型有源区与N型有源区沿长度方向相间排布；

所有的漏极共连接ESD进入端，所有的源极共连接地，所有的栅极共连接信号端。

2.根据权利要求1所述的用于静电保护的高压NLDMOS结构，其特征在于：所述共源区内的P型有源区的宽度在0.3～100um之间。

3.根据权利要求1或2所述的用于静电保护的高压NLDMOS结构，其特征在于：所述漏区包括形成于N型埋层中的高压N阱，高压N阱内形成有N-注入区，N-注入区内形成有所述N型有源区，N型有源区内间隔排布有所述P型有源区；N型有源区沿宽度方向上能够完全包围住P型有源区。

4.根据权利要求1或2所述的用于静电保护的高压NLDMOS结构，其特征在于：所述共源区包括形成于N型埋层中的高压P阱，高压P阱内形成有所述N型有源区，N型有源区内间隔排布有所述P型有源区；P型有源区沿宽度方向上能够完全包围住N型有源区。

5.根据权利要求1所述的用于静电保护的高压NLDMOS结构，其特征在于：所述源区为N+有源区。

6.根据权利要求1所述的用于静电保护的高压NLDMOS结构，其特征在于：所述N型有源区为N+注入区；所述P型有源区为P+注入区。

7.根据权利要求1所述的用于静电保护的高压NLDMOS结构，其特征在于：所述N型LDMOS的最外侧是漏区。