[发明专利]一种低电压低功耗Class-AB运算跨导放大器无效
| 申请号： | 201210241659.7 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102780462A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈宏雷;伍冬;沈延钊;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压低 功耗 class ab 运算 放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种低电压低功耗Class-AB运算跨导放大器，其特征是该运算跨导放大器包括两个相同的缓冲器和一个电阻；
所述两个相同的缓冲器镜像摆放，所述电阻位于所述两个相同的缓冲器中间，所述电阻和所述两个相同的缓冲器的输出端连接；
所述缓冲器包括第一子缓冲器和第二子缓冲器；第一子缓冲器包括第一电流源、第一晶体管和第二晶体管；第二子缓冲器包括第三晶体管和第二电流源；
所述第一电流源的输出端分别与第一晶体管的漏极和第二晶体管栅极连接；第一晶体管的源极分别与第二晶体管的漏极和第三晶体管的源极连接；第二晶体管的源极接地；第三晶体管的源极和第二电流源的输入端连接；第二电流源的输出端接地；第一晶体管的栅极和第三晶体管的栅极连接作为所述缓冲器的输入级；第一晶体管的源极和第三晶体管的源极连接作为所述缓冲器的输出级。
2.根据权利要求1所述的一种低电压低功耗Class-AB运算跨导放大器，其特征是所述第一晶体管、第二晶体管或第三晶体管为工作在饱和区的MOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的一种低电压低功耗Class-AB运算跨导放大器，其特征是所述第一电流源或第二电流源为恒流源。
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