[发明专利]半导体外延薄膜生长方法及用其制半导体发光器件的方法

权利要求书

1.一种半导体外延薄膜生长方法，该方法包括步骤：

在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及

通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体，以便在每一个所述晶片的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。

2.权利要求1的方法，其中所述氯有机金属化合物是二甲基氯化镓（DMGaCl）和二乙基氯化镓（DEGaCl）中的至少一种。

3.权利要求2的方法，其中所述半导体外延薄膜是GaN薄膜。

4.权利要求1的方法，其中所述反应气体与含有氢气的载气一起喷射。

5.权利要求1的方法，还包括步骤：使用加热单元调整所述反应室内的温度，所述加热单元布置成围绕所述反应室的外侧。

6.权利要求1的方法，还包括步骤：在所述半导体外延薄膜生长时改变所述半导体外延薄膜的生长温度。

7.权利要求1的方法，其中从所述气体供应单元喷射的所述反应气体这样喷射：它流到每一个所述晶片的上表面和下表面，从而从每一个所述晶片的两个表面都生长外延薄膜。

8.权利要求1的方法，其中所述反应气体通过定位在所述反应室的内管和所述晶片保持器之间的所述气体供应单元喷射，所述反应室由具有内部空间的内管和覆盖该内管以保持气密性的外管构成。

9.权利要求1的方法，其中所述反应气体通过所述气体供应单元的多个喷嘴喷射，所述气体供应单元包括将所述反应气体供应到所述反应室的至少一个气路以及从所述至少一个气路延伸的多个喷嘴。

10.权利要求9的方法，其中所述多个喷嘴设置成面对装载的所述晶片的相应侧面或者设置成对应于装载的所述晶片之间的空间，以便在装载的所述晶片之间来将所述反应气体喷射到各个所述晶片上。

11.权利要求9的方法，还包括步骤：使用冷却剂冷却所述反应气体，所述冷却剂在沿着所述气路的周围设置的冷却线路内流动。

12.权利要求1的方法，还包括步骤：通过一个或多个气体供应单元提供相同的反应气体或者分开提供不同的反应气体。

13.一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：

在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及

在所述晶片上形成包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层的发光结构，

其中所述发光结构的至少一部分包括通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体而生长的半导体层，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。

14.权利要求13的方法，其中所述氯有机金属化合物是二甲基氯化镓（DMGaCl）和二乙基氯化镓（DEGaCl）中的至少一种。

15.权利要求13的方法，还包括步骤：在所述晶片和所述发光结构之间形成缓冲层。

16.权利要求15的方法，其中在比形成所述缓冲层的温度高的温度下形成所述发光结构的至少一部分。

17.权利要求16的方法，其中所述缓冲层的反应气体包括三甲基镓（TMGa）、三乙基镓（TEGa）、三甲基铝（TMAl）和三甲基铟（TMIn）中的至少一种。

18.权利要求17的方法，其中所述发光结构的反应气体包括二甲基氯化镓（DMGaCl）和二乙基氯化镓（DEGaCl）中的至少一种。

19.权利要求13的方法，其中所述半导体发光器件是氮化镓基半导体发光器件。

20.权利要求13的方法，其中所述反应气体与含有氢气的载气一起喷射。