[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201210241697.2 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102820263A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 大力浩二;楠本直人;鹤目卓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;庞立志 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1. 一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：
通过在氮气氛中使用微波而对玻璃基片进行等离子处理；
在进行所述等离子处理后，在所述玻璃基片上形成元件组；和
在形成所述元件组后，薄化所述玻璃基片。
2. 一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：
通过在氮气氛中使用微波而对玻璃基片进行等离子处理；
在进行所述等离子处理后，在所述玻璃基片上形成元件组；
薄化所述玻璃基片从而形成薄化的玻璃基片；和
用挠性薄膜进行密封，以便覆盖所述薄化的玻璃基片和元件组。
3. 一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：
通过在氮气氛中使用微波而对基片进行等离子处理；
在进行所述等离子处理后，在所述基片上形成元件组；
薄化所述基片从而形成薄化的基片；和
对所述薄化的基片进行化学处理而除去所述薄化的基片。
4. 一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：
通过在氮气氛中使用微波而对基片进行等离子处理；
在进行所述等离子处理后，在所述基片上形成元件组；
薄化所述基片从而形成薄化的基片；
对所述薄化的基片进行化学处理而除去所述薄化的基片；和
用挠性薄膜进行密封，以便覆盖所述元件组。
5. 根据权利要求1-4中任一项的制造半导体器件的方法，其中通过进行研磨处理和抛光处理中的任一种或两者而薄化所述基片。
6. 一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：
通过在氮气氛中使用微波而对玻璃基片进行等离子处理；
在进行所述等离子处理后，在所述玻璃基片上形成元件组；和
除去所述玻璃基片。
7. 根据权利要求6的制造半导体器件的方法，其中通过进行至少化学处理而除去所述玻璃基片。
8. 根据权利要求6的制造半导体器件的方法，其中用挠性薄膜进行密封，以便覆盖所述的元件组。
9. 根据权利要求1-4和6中任一项的制造半导体器件的方法，其中氮气氛是包含氮气和惰性气体的气氛、包含NH3和惰性气体的气氛、包含NO2和惰性气体的气氛或者包含N2O和惰性气体的气氛。
10. 根据权利要求1-4和6中任一项的制造半导体器件的方法，其中所述等离子处理是在电子密度为1×1011 cm-3～1×1013 cm-3并且电子温度为0.5 eV～1.5 eV的条件下进行的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
