[发明专利]采用三重图案化的集成电路方法

权利要求书

1.一种集成电路(IC)设计方法，包括：

接收具有多个IC部件的IC设计布局；

根据所述IC设计布局，标识出：

作为第一布局的简单部件，其中，所述第一布局不违背设计规则，以及

作为第二布局的复杂部件，其中，所述第二布局违背所述设计规则；以及

由所述第二布局生成第三布局和第四布局，其中，所述第三布局包括满足所述设计规则的所述复杂部件和连接部件，并且，所述第四布局包括修整部件。

2.根据权利要求1所述的IC设计方法，其中，将所述修整部件设计为从所述第三布局和所述第四布局的集合图像中排除所述连接部件。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述设计规则包括：

特征设计规则，限定出IC部件的几何特性；以及

关系设计规则，限定出两个IC部件之间的空间关系。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述特征设计规则限定出所述IC部件的最小长度；并且

所述关系设计规则限定出所述两个IC部件之间的最小间隔。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，当所述简单部件的至少一个子集在所述IC设计中配置为接近所述复杂部件时，所述简单部件的至少一个子集违背所述关系设计规则。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，标识出简单部件包括：确定简单部件不违背所述特征设计规则但违背所述简单部件和复杂部件之间的所述关系设计规则。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，标识出复杂部件包括：确定复杂部件违背所述特征设计规则。

8.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述多个IC部件是在第一方向上定向的多个线部件；以及

标识出复杂部件包括：确定复杂部件与另一复杂部件在所述第一方向上违背所述关系设计规则。

9.一种用于制造集成电路(IC)的方法，包括：

在衬底上形成材料层；

使用第一光掩模在所述材料层上图案化第一光刻胶层；

通过所述第一光刻胶层的开口蚀刻所述材料层；

去除所述第一光刻胶层；

使用第二光掩模和第三光掩模在所述材料层上图案化第二光刻胶层；

通过所述第二光刻胶层的开口蚀刻所述材料层；以及

去除所述第二光刻胶层。

10.一种光掩模组，设计为用于在材料层中形成集成电路(IC)部件，所述光掩模组包括：

第一光掩模，包括具有所述IC部件的第一子集的第一布局，其中，所述第一布局不违背设计规则；

第二光掩模，包括具有所述IC部件的第二子集和连接部件的第二布局，其中，所述IC部件的所述第二子集违背所述设计规则，所述第二布局不违背所述设计规则；以及

第三光掩模，包括具有多个匹配所述连接部件的修整部件的第三布局。