[发明专利]具有宽带特性的干涉式光学显示系统

说明书

本申请是下述申请的分案申请：

发明名称：具有宽带特性的干涉式光学显示系统

申请号：200780012868.1

申请日：2007-4-2

技术领域

本发明涉及用作干涉式调制器(iMoD)的微机电系统。更特定来说，本发明涉及用于改进干涉式调制器的制造的系统与方法。

背景技术

微机电系统(MEMS)包括微机械元件、致动器和电子装置。可使用沉积、蚀刻和/或其它微切削加工工艺来形成微机械元件，所述工艺蚀刻掉衬底和/或沉积材料层的部分或其添加层以形成电气和机电装置。一种类型的MEMS装置被称作干涉式调制器。如本文所用的术语，干涉式调制器或干涉式光调制器是指使用光学干涉原理选择性地吸收和/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包含一对导电板，所述导电板中的一者或二者可完全或部分透明和/或具反射性，且能够在施加适当电信号时相对运动。在一特定实施例中，一板可包含沉积在衬底上的固定层且另一板可包含通过气隙与所述固定层分开的金属膜。如在本文中更详细地描述，一个板相对于另一板的位置可改变入射在干涉式调制器上的光的光学干涉。此类装置具有较广范围的应用，且利用和/或修改这些类型的装置的特性使得其特征可用于改进现有产品并形成尚未开发的新产品在此项技术中将是有益的。

发明内容

本发明的系统、方法和装置各具有若干方面，所述方面中的任一者不能够单独地产生其所要属性。在不限制本发明的范围的情况下，将简要论述其较显著的特征。在考虑此论述之后，且尤其在阅读标题为“具体实施方式”的部分之后，将了解本发明的特征如何提供优于其它显示装置的优势。

一实施例提供一种制造MEMS显示装置的方法，所述方法包含：提供透明衬底和在所述透明衬底上形成干涉式调制器阵列，其中所述干涉式调制器包含消光系数(k)低于光在所述干涉式调制器的操作光学范围内的波长的阈值的材料。

另一实施例提供一种形成干涉式调制器阵列的方法，所述方法包含：在所述透明衬底上形成光学堆叠，在所述光学堆叠上沉积牺牲层，在所述牺牲层上形成导电层，以及移除所述牺牲层的至少一部分进而在所述衬底与所述导电层之间形成空腔。

另一实施例提供一种MEMS显示装置，所述MEMS显示装置通过包含以下操作的方法制造：提供透明衬底并在所述透明衬底上形成干涉式调制器阵列，其中所述干涉式调制器包含折射率随着所述波长增加而增加的材料。

另一实施例提供一种干涉式显示装置，其包含用于透射光的构件和用于干涉地反射穿过所述透射构件的光的构件，其中所述反射构件包含消光系数(k)低于光在所述干涉式调制器的操作光学范围内的波长的阈值的材料。

另一实施例提供一种MEMS显示装置，其包含衬底和沉积在所述衬底上的干涉式调制器阵列，其中所述阵列包含消光系数(k)低于光在所述干涉式调制器的操作光学范围内的波长的阈值的材料。此实施例的显示装置进一步包含与所述阵列电连通的处理器，所述处理器经配置以处理图像数据；以及与所述处理器电连通的存储器装置。

在下文中更详细地描述这些和其它实施例。

附图说明

图1为描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等角视图，其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置且第二干涉式调制器的可移动反射层处于致动位置。

图2为说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统方框图。

图3为对于图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜面位置对所施加电压的图。

图4为可用于驱动干涉式调制器显示器的一组行电压与列电压的说明。

图5A说明在图2的3×3干涉式调制器显示器中显示数据的一个示范性帧。

图5B说明可用于写入图5A的帧的行与列信号的一个示范性时序图。

图6A与图6B为说明包含多个干涉式调制器的视觉显示装置的实施例的系统方框图。

图7A为图1的装置的横截面。

图7B为干涉式调制器的替代实施例的横截面。

图7C为干涉式调制器的另一替代实施例的横截面。

图7D为干涉式调制器的又一替代实施例的横截面。

图7E为干涉式调制器的额外替代实施例的横截面。

图8为说明在制造干涉式调制器的方法的实施例中的某些步骤的流程图。

图9A为干涉式调制器的实施例的横截面。