[发明专利]一种沟槽肖特基MOS半导体装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201210242396.1 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103531628A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 mos 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种沟槽肖特基MOS半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为半导体材料；
漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个
沟槽，位于漂移层中，沟槽内壁有绝缘层，沟槽内填充有多晶半导体材料或金属作为栅电极；
肖特基势垒结，位于沟槽之间的漂移层表面；
沟道区，为漂移层中临靠沟槽侧壁和肖特基势垒结的第一传导类型的半导体材料。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内填充的多晶半导体材料可以为第一传导类型的多晶半导体材料，并且为高浓度杂质掺杂。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结表面可以作为器件的源极。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽底部可以添加条状的第二传导类型的半导体材料，形成电荷补偿结构，当器件接反向偏压时，形成电荷补偿，从而实现电场相对均匀分布。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽底部可以添加条状的第二传导类型的半导体材料，同时沟槽底部无绝缘层，栅电极材料与第二传导类型的半导体材料相连，以此形成电荷补偿结构。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽底部可以添加条状的绝缘材料，同时绝缘材料界面具有较高的界面态，从而可以与漂移层中第一传导类型的半导体材料形成电荷补偿结构。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽底部可以添加条状的化学配比失配绝缘材料，其化合物元素配比为非饱和状态，从而可以与漂移层中第一传导类型的半导体材料形成电荷补偿结构。
8.如权利要求1所述的层结构，其特征在于：所述的沟槽底部绝缘层厚度可以大于沟槽侧壁的绝缘层厚度。
9.如权利要求1所述的层结构，其特征在于：所述的衬底层可以为较薄的第二传导类型的半导体材料。
10.如权利要求1所述的一种沟槽肖特基MOS半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料漂移层；
2)在表面形成绝缘层，在待形成沟槽区域表面去除绝缘层；
3)进行刻蚀半导体材料，形成沟槽；
4)在沟槽内依次形成绝缘层和多晶半导体材料，反刻蚀多晶半导体材料，淀积绝缘材料；
5)去除部分绝缘层，淀积势垒金属，形成肖特基势垒结；
6)进行电极金属淀积，反刻蚀金属。
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