[发明专利]非易失性存储器件的擦除系统和方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件的擦除方法，该擦除方法包括：

向多个存储单元供应擦除电压；

利用到所述多个存储单元的字线的读取电压执行读取操作；以及

利用到所述多个存储单元的字线中的至少一条字线的擦除验证电压执行擦除验证操作，该擦除验证电压低于读取电压。

2.如权利要求1所述的擦除方法，其中，所述读取电压包括将被施加到相应字线的一个或多个电平的电压。

3.如权利要求1所述的擦除方法，其中，所述读取电压包括将被施加到字线的单电平的电压。

4.如权利要求1所述的擦除方法，其中：

相对于所述多个存储单元的字线中相应的一条字线，所述擦除验证电压是可变的；并且

可变的擦除验证电压低于读取电压。

5.如权利要求1所述的擦除方法，其中，所述读取电压高于所述多个存储单元的编程状态的阈值电压的电压。

6.如权利要求1所述的擦除方法，其中：

所述多个存储单元包括至少一个伪单元以及一个或多个常规存储单元；并且

在读取操作和擦除验证操作中，向所述至少一个伪单元供应与供应到常规存储单元的工作电压不同的电压。

7.一种非易失性存储器件的擦除方法，该擦除方法包括：

向多个串供应擦除电压，每个串具有多个存储单元；

利用到所述多个存储单元的字线的读取电压执行读取操作；

根据执行的读取操作确定一个或多个串为断开串；

对断开串处理擦除验证通过；以及

利用到所述多个串的字线的擦除验证电压执行擦除验证操作。

8.如权利要求7所述的擦除方法，还包括：

根据执行的擦除验证操作向所述多个串供应修改后的擦除电压。

9.如权利要求8所述的擦除方法，其中：

根据读取操作所述多个存储单元被确定为断开串和非断开串；并且

擦除验证操作包括避免对断开串执行位线预充电操作。

10.如权利要求7所述的擦除方法，还包括：

向断开串和非断开串的位线供应不同的电压作为预充电电压；以及

在擦除验证操作中向所述多个存储单元的相应字线供应擦除验证电压。

11.如权利要求7所述的擦除方法，其中：

所述多个存储单元包括至少一个伪单元以及一个或多个常规存储单元；并且

在读取操作和擦除验证操作中，向所述至少一个伪单元供应与供应到常规存储单元的工作电压不同的电压。

12.一种非易失性存储器件，包括：

存储单元阵列，其具有衬底和多个块，每个块具有多个串，每个串具有多个存储单元，所述多个串沿垂直于衬底的方向形成在衬底上；

控制单元，用于利用到所述多个串的字线的电压执行读取操作；以及

页缓存单元，用于存储通过读取操作确定的、关于所述多个串当中的一个或多个断开串的信息，

其中，该控制单元利用到所述多个存储单元的字线中的至少一条字线的擦除验证电压执行擦除验证操作，并且该擦除验证电压低于读取电压。

13.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，所述多个串中的每一个的所述多个存储单元中的每一个具有不同的尺寸，其中，相邻的串通过间隙相互间隔。

14.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中：

所述控制单元根据读取操作确定所述串当中的第一断开串，并且根据擦除验证操作确定第二断开串；并且

所述控制单元利用修改后的擦除电压对第一断开串和第二断开串执行擦除操作。

15.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，所述控制单元在利用第一擦除电压对包括断开串和非断开串的所述串执行擦除操作之后，对非断开串执行擦除验证操作。

16.如权利要求15所述的非易失性存储器件，其中，所述控制单元根据擦除验证操作利用修改后的擦除电压对断开串执行另一个擦除操作。

17.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，当被选串被确定为代表擦除失败串的断开串时，所述控制单元根据执行的擦除验证，控制将对被选串执行的另一个擦除操作。