[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但是目前由于驱动发光器件的电流较大，发光效率低，器件寿命低，为了实现有机电致发光器件的实用化，人们急于寻找一种驱动电流小，发光效率高的发光器件结构。

发明内容

鉴于此，本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，通过采用金属锑的卤化物或者氧化物作为空穴传输掺杂剂，配合电子传输掺杂，从而有效调节空穴和电子的浓度，使二者更加平衡，并且有效改善有机功能层的稳定性，提高有机电致发光器件的寿命，制备出高效，长寿命，低启动电压的OLED器件。

本发明实施例提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极导电膜、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极，所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，所述掺杂剂为锑的卤化物或锑的氧化物，在空穴传输层的材质中，掺杂剂的质量分数为2~20%。

优选地，阳极导电膜的材质为铟锡氧化物（ITO）、掺锌的氧化锡（IZO）或掺铝的氧化锌（AZO）；更优选地，阳极导电膜的材质为铟锡氧化物（ITO）。

优选地，阳极导电膜的厚度为70~100nm。

空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料，掺杂剂为锑的卤化物或锑的氧化物，在空穴传输层的材质中，掺杂剂的质量分数为2~20%。空穴传输层采用掺杂结构，可以提高空穴注入能力。

优选地，锑的卤化物为三氟化锑（SbF₃）、三氯化锑（SbCl₃）、三溴化锑（SbBr₃）或三碘化锑（SbI₃）；更优选地，锑的卤化物为三氯化锑（SbCl₃）。

优选地，锑的氧化物为三氧化二锑（Sb₂O₃）。

优选地，空穴传输层的厚度为30~100nm；更优选地，空穴传输层的厚度为50nm。

优选地，空穴传输材料为ZnPc(酞菁锌)、CuPc（酞菁铜）、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4＂-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）；更优选地，空穴传输层的空穴传输材料为N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）。

优选地，电子阻挡层的材料为ZnPc(酞菁锌)、CuPc（酞菁铜）、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4＂-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）；更优选地，电子阻挡层的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）。

优选地，电子阻挡层的厚度为5~20nm；更优选地，电子阻挡层的厚度为10nm。

电子阻挡层的材料与空穴传输材料属于同一类材料，但一般来说，在同一发光器件中，电子阻挡层的材料与空穴传输材料选用不同材料。

优选地，发光层的材料为8-羟基喹啉铝（Alq3）掺杂4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）形成的混合材料（Alq3:DCJTB）。