[发明专利]低压电流镜无效
| 申请号： | 201210243201.5 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102809982A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 方健;唐莉芳;吴杰;杨毓俊;黎俐;陶垠波;潘福跃;臧凯旋 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 电流 | ||
【权利要求书】：
1.一种低压电流镜，具体包括：输入电流源，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，
其中，
所述输入电流源，跨接在第一PMOS管的漏极和地电位之间；
所述第一PMOS管的源极和衬底接外部电源电压，栅极和漏极短接，并接至第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极；
所述第二PMOS管的源极和衬底接外部电源电压，漏极接第一NMOS管漏极；
所述第三PMOS管的源极和衬底接外部电源电压，漏极接第三NMOS管的漏极。
所述第一NMOS管的栅漏短接，并接第二NOMS管的栅极、第四NOMS管的栅极，源极和衬底接地；
所述第二NMOS管的漏极接第三NMOS管的源极，源极和衬底接地；
所述第三NMOS管的栅极和漏极短接，并接第五NMOS管的栅极，衬底接地；
所述第四NMOS管漏极接第五NMOS管的源极，源极和衬底接地；
所述第五NMOS管的衬底接地，漏极作为所述低压电流镜的输出端。
2.根据权利要求1所述的低压电流镜，其特征在于，所述的第二PMOS管的宽长比与第三PMOS管的宽长比相等。
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