[发明专利]大面积纳米结构阵列的制备方法

权利要求书

1.一种大面积纳米结构阵列的制备方法，包括如下步骤：

（1）提供一导电基体；

（2）在所述导电基体上沉积一金属薄膜层，其中所述金属薄膜层被划分成多个区域；

（3）测量所述金属薄膜层上多个区域的厚度及所述多个区域的厚度与电化学氧化时间之间的一一对应关系；

（4）润湿所述金属薄膜层的表面并对所述表面进行第一氧化处理；

（5）对所述金属薄膜层进行第二氧化处理，并根据所述金属薄膜层上多个区域的厚度与电化学氧化时间之间一一对应关系控制所述金属薄膜层上的所述多个区域的氧化时间。

2.根据权利要求1所述的大面积纳米结构阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）包括测量所述金属薄膜层的所述多个区域中的一部分区域的厚度，并根据测量结果计算出所述金属薄膜层上所有区域的厚度。

3.根据权利要求1所述的大面积纳米结构阵列的制备方法，其特征在于：在所述步骤（2）之后，且在所述步骤（3）之前，在所述导电基体的侧壁及所述金属薄膜层表面的边缘及其侧壁涂覆一层绝缘高分子材料。

4.根据权利要求1所述的大面积纳米结构阵列的制备方法，其特征在于：所述金属薄膜层的材料选自下列之一：Ti、W、Ta、Sn、Al、Ta₃N₅。

5.根据权利要求1所述的大面积纳米结构阵列的制备方法，其特征在于：所述金属薄膜层通过磁控溅射或电化学沉积方法沉积在所述导电基体上。

6.根据权利要求1所述的大面积纳米结构阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）包括：用电解液润湿所述金属薄膜层的表面并采用电化学氧化方法对所述表面进行第一氧化处理，以形成一氧化层。

7.一种大面积纳米结构阵列的制备方法，包括如下步骤：

（1）提供一导电基体；

（2）在所述导电基体上沉积一金属薄膜层，其中所述金属薄膜层被划分成多个区域；

（3）测量所述金属薄膜层上多个区域的厚度及所述多个区域的厚度与电化学氧化电压/电流之间的一一对应关系；

（4）润湿所述金属薄膜层的表面并对所述表面进行第一氧化处理；

（5）对所述金属薄膜层进行第二氧化处理，并根据所述金属薄膜层上多个区域的厚度与电化学氧化电压/电流之间一一对应关系控制所述金属薄膜层上的所述多个区域的氧化电压/电流。