[发明专利]一种采用伪栅极制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种采用伪栅极制造半导体器件的方法，包括步骤：

a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；

b)在所述第一区域的衬底上形成第一伪栅极，在所述第二区域的衬底上形成第二伪栅极，所述第一伪栅极和第二伪栅极包括依次堆栈的栅极介电层、覆盖层和多晶硅层；

c)在所述衬底中形成源漏极；

d)在所述第二伪栅极的顶部形成阻挡层；

e)采用湿法蚀刻去除所述第一伪栅极的多晶硅层以形成沟槽；

f)填充所述沟槽形成金属栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，所述步骤d）包括：

在所述第一伪栅极的多晶硅层上形成掩膜层；

在所述第二伪栅极的多晶硅层上形成所述阻挡层；

去除所述第一伪栅极的多晶硅层上的掩膜层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述掩膜层是光刻胶层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中还包括在所述光刻胶层和所述多晶硅层之间形成BARC。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层是氧化层或氮化层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层具有大于30埃的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成阻挡层的方法是等离子体的方法或离子注入的方法。

8.根据权利要求2、3或4所述的方法，其中所述去除掩膜层步骤中使用包括H2和N2的气体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述湿法刻蚀第一伪栅极的多晶硅层步骤中使用的溶液包括TMAH。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述湿法刻蚀第一伪栅极的多晶硅层步骤中使用的溶液包括KTMAH。

11.根据权利要求2、3或4所述的方法，还包括在所述去除掩膜层步骤之后进行去除自然氧化层的步骤。 

12.根据权利要求11所述的方法，其中使用DHF来执行所述自然氧化层的去除。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述去除自然氧化层的步骤在与所述湿法刻蚀多晶硅层的步骤相同的反应腔中执行。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤f）之后进行去除第二伪栅极的多晶硅层形成沟槽；填充所述沟槽形成金属栅极。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述去除第二伪栅极的多晶硅层的方法是湿法刻蚀去除的方法。

16.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底和所述伪栅极之间形成界面层。

17.根据权利要求1所述的方法，其中使用高K材料形成所述栅极介电层。

18.根据权利要求1所述的方法，其中使用TiN或TaN来形成所述覆盖层。

19.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤b）之后，在所述伪栅极的侧壁和衬底上形成偏移侧墙和间隙壁的步骤。

20.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤c）之后形成ILD于所述衬底和所述第一和第二伪栅极上以及平坦化所述ILD以暴露所述第一伪栅极和第二伪栅极的步骤。