[发明专利]一种提高功率集成电路无源器件性能的结构无效
| 申请号： | 201210244008.3 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102820286A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰;余庭;赵一兵;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 昆山华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/50;H01L23/367 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 功率 集成电路 无源 器件 性能 结构 | ||
【权利要求书】：
1. 一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，其特征是，功率集成电路芯片中无源器件与有源器件之间设置一将无源器件与有源器件隔离的金属板，所述无源器件堆叠在所述金属板上。
2.根据权利要求1所述的一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，其特征是，所述金属板上面设置一层或多层用于实现复杂的无源器件的金属层。
3.根据权利要求1所述的一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，其特征是，所述无源器件的源端直接与所述金属板相连。
4.根据权利要求1所述的一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，其特征是，所述金属板接地。
5.根据权利要求2所述的一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，其特征是，所述金属层与所述金属板之间设置有绝缘层。
6.根据权利要求1所述的一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，其特征是，所述无源器件设置在衬底上。
7.根据权利要求6所述的一种提高功率集成电路无源器件性能的结构，其特征是，所述衬底为高阻衬底。
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