[发明专利]一种高密度亚微米高压BCD半导体器件及其工艺方法

权利要求书

1.一种高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，器件包括：超高压LDMOS（1）、中压NLDMOS（2）、中压FDPMOS（3）、高压JFET（4）、低压NMOS（5）、低压PMOS（6）、齐纳二极管（7）、多晶电阻（8）、PIP电容（9）、双极晶体管NPN管（10）以及双极晶体管PNP管（11），所述高密度亚微米高压BCD半导体器件直接做在P型衬底（101）上，所述超高压LDMOS（1）的源极和栅极沿漏极中心对称。

2.根据权利要求1所述的高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，所述超高压LDMOS（1）的P型衬底（101）上生长有高压厚场氧化层（103）以及低压场氧层（104），所述高压厚场氧化层（103）上覆盖有多晶场板（106），所述低压场氧层（104）上部分覆盖有所述多晶场板（106）以及多晶栅极（105）。

3.根据权利要求1所述的高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，所述中压NLDMOS（2）包括P型体区（107）以及N型源漏区（108），所述P型体区（107）以及N型源漏区（108）均在线形掺杂N阱（102）内，所述P型体区（107）内具有P型源漏区（110），所述N型源漏区（108）下具有N型轻掺杂漏区（109）。

4.根据权利要求1所述的高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，所述中压FDPMOS（3）具有两个所述P型体区（107），所述P型体区（107）在线形掺杂N阱（102）内，所述P型体区（107）内包括所述P型源漏区（110）以及部分低压场氧化层（104），两个所述低压场氧化层（104）之间覆盖有多晶栅极（105）。

5.根据权利要求1所述的高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，所述中压NLDMOS（2）与所述中压FDPMOS（3）之间具有P型深隔离结构（116）。

6.根据权利要求1所述的高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，所述高压JFET（4）具有的N型源漏区（108）作为源极、P型体区（107）形成的栅极以及N型源漏区（108）形成的漏极均在线形掺杂N阱（102）内，所述P型体区（107）形成的栅极由P型源漏区(110)引出并与N型源漏区（108）形成的漏极之间具有高压厚场氧化层（103），所述高压厚场氧（103）上覆盖有所述多晶场板（106）。

7.根据权利要求1所述的高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，所述中压FDPMOS（3）与所述高压JFET（4）之间具有所述P型深隔离结构（116）。

8.根据权利要求1所述的高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，所述低压NMOS（5）与所述低压PMOS（6）之间具有所述低压场氧化层（104）。

9.根据权利要求1所述的高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，所述多晶电阻（8）以及所述PIP电容（9）均在所述高压厚场氧化层（103）上。

10.根据权利要求1所述的高密度亚微米高压BCD半导体器件，其特征在于，所述双极晶体管NPN管（10）以及所述双极晶体管PNP管（11）之间具有所述P型深隔离结构（116），并且所述P型深隔离结构（116）上覆盖有所述高压厚场氧化层（103）。

11.一种制造如权利要求1所述的高密度亚微米高压BCD半导体器件的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

在P型硅衬底上形成N阱；

在P型硅衬底上形成P型深隔离结构；

形成小角度高压厚场氧化层；

形成低压场氧化层；

形成高压栅极；

形成高压P型体区，用高压栅极自对准形成高压LDMOS体区；

形成低压CMOS的P阱，做所述低压CMOS的P阱的光刻，注入形成低压NMOS的P阱；

形成低压栅极；

形成N型轻掺杂漏区；

形成P型轻掺杂漏区；

形成N型源漏区；

形成P型源漏区；

形成硅化钛硅化物阻挡区；

形成接触孔；

形成第一层金属；

形成金属互连通孔；

形成顶层金属。