[发明专利]陶瓷电子元器件的制造方法及陶瓷电子元器件有效
| 申请号： | 201210244092.9 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102751093A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 水野辰哉;河野上正晴;桥本大喜;上田充 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/008;H01G4/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子元器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种陶瓷电子元器件，该陶瓷电子元器件是包括陶瓷主体和设置于所述陶瓷主体表面的外部电极的陶瓷电子元器件，其特征在于，
从构成所述陶瓷主体的陶瓷表面至少检出F、Si、N，并且
所述各元素相对于所述陶瓷表面的原子浓度比满足下述条件：
2≤(F/陶瓷主体)≤12、
0.1≤(Si/陶瓷主体)≤1.0、
0.1≤(N/陶瓷主体)≤1.3。
2.一种陶瓷电子元器件，该陶瓷电子元器件是包括陶瓷主体和设置于所述陶瓷主体表面的外部电极的陶瓷电子元器件，其特征在于，
从构成所述陶瓷主体的陶瓷表面和外部电极表面至少检出F、Si、N，
在所述陶瓷表面，F、Si、N各元素相对于所述陶瓷表面的原子浓度比满足下述条件：
2≤(F/陶瓷主体)≤12、
0.1≤(Si/陶瓷主体)≤1.0、
0.1≤(N/陶瓷主体)≤1.3；
在所述外部电极表面，F、Si、N各元素相对于所述外部电极表面的原子浓度比满足下述条件：
0.4≤(F/外部电极)≤10、
0.06≤(Si/外部电极)≤0.8、
0.07≤(N/外部电极)≤1.0。
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