[发明专利]铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法

权利要求书

1.一种利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括：

(a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少1种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度；

(b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及

(c)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。

2.根据权利要求1所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于：

所述基准值是在4,000～12,000cm^-1波长中的特定波长下的近红外线吸光度。

3.根据权利要求1所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于：

所述铜膜蚀刻液组合物包括酸、酸的盐、铵盐及水。

4.根据权利要求3所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于：

所述酸成份包括从由盐酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF₄)组成的组中选择的至少1种以上的化合物，所述酸的盐是所述的酸成份的盐。

5.根据权利要求1所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于：

所述近红外分光仪使用具有4,000～12,000cm^-1波长的光源。

6.根据权利要求1所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于：

所述近红外分光仪把检测探针浸入到存储有所述铜膜蚀刻液组合物的铜膜蚀刻液组合物存储槽，测量吸光度。

7.根据权利要求1所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于：

所述近红外分光仪测量流动池的吸光度，所述流动池中流动着从存储有所述铜膜蚀刻液组合物的铜膜蚀刻液组合物存储槽移送的铜膜蚀刻液组合物。

8.根据权利要求1所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于：

所述(c)步骤是由自动控制装置进行。

9.一种利用近红外分光仪的铜膜蚀刻液组合物的再生方法，包括：

成份分析步骤，利用近红外分光仪，对用于调整铜膜蚀刻液组合物成份的再生反应器内的铜膜蚀刻液组合物的至少1种成份的浓度进行成份分析；

成份掌握步骤，把所述成份分析结果与各成份的基准值进行对比，掌握需要的成份；以及

供应步骤，把所述需要的成份供应到所述反应器内。

10.根据权利要求9所述的铜膜蚀刻液组合物的再生方法，其特征在于：

所述基准值是在4,000～12,000cm^-1波长中的特定波长下的近红外线吸光度。

11.根据权利要求9所述的铜膜蚀刻液组合物的再生方法，其特征在于：

当所述铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度超过基准值时，废弃再生反应器内的铜膜蚀刻液组合物。

12.根据权利要求9所述的铜膜蚀刻液组合物的再生方法，其特征在于：

所述铜膜蚀刻液组合物包括酸、酸的盐、铵盐及水，所述酸成份包括从由盐酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF₄)组成的组中选择的至少1种以上的化合物，所述酸的盐是所述的酸成份的盐。