[发明专利]一种可调谐半导体激光器

权利要求书

1.一种可调谐半导体激光器，该激光器纵向截面从一端到另一端依次包括前光栅区（1）、有源区（2）、相位区（3）和后光栅区（4），前光栅区（1）、相位区（3）和后光栅区（4）纵截面从上到下依次主要包括上限制层（5）、光波导层（6）和下限制层（7），有源区（2）纵截面从上到下依次主要包括上限制层（5）、有源层（8）和下限制层（7），前光栅区（1）和上限制层（5）交叉的区域设有前布拉格光栅（9），后光栅区（4）和上限制层（5）交叉的区域设有后布拉格光栅（10），其特征在于：前布拉格光栅（9）和后布拉格光栅（10）均采用间插多相移取样布拉格光栅。

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于：间插多相移取样布拉格光栅是复数组多相移取样布拉格光栅间插制得的光栅，所有多相移取样布拉格光栅的光栅周期、取样周期相同。

3.根据权利要求2所述的激光器，其特征在于：每组多相移取样布拉格光栅均包括复数个取样光栅周期结构，每组多相移取样布拉格光栅中相邻的取样光栅周期结构的光栅初始相位具有相同的相移。

4.根据权利要求3所述的激光器，其特征在于：设间插多相移取样布拉格光栅包含m组多相移取样布拉格光栅，则第i组多相移取样布拉格光栅的相邻取样光栅周期结构的光栅初始相移                                               为(i-1)*2π/m。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的激光器，其特征在于：前光栅区（1）、有源区（2）、相位区（3）和后光栅区（4）的上表面分别设有第一电极（11）、第二电极（12）、第三电极（13）和第四电极（14）。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的激光器，其特征在于：前光栅区（1）和后光栅区（4）的外侧表面分别设有第一增透膜（15）和第二增透膜（16）。

7.根据权利要求3或4所述的激光器，其特征在于：取样光栅周期结构采用均匀、切趾或啁啾形式的布拉格光栅。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的一种可调谐半导体激光器，其特征在于：所述的可调谐半导体激光器可以与半导体光放大器和/或电吸收调制器集成。