[发明专利]一种ZnS1-xSex半导体薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种ZnS_1-xSe_x半导体薄膜的制备方法，其特征在于：采用化学水浴沉积法，以硫酸锌作为Zn²⁺源，以硫脲作为S^2-源，以硒代硫酸钠溶液作为Se^2-源，以氨水作为缓冲剂，以水合肼作为络合剂，配制化学浴反应的前驱物，把清洗干净的衬底沿着烧杯壁竖直浸入溶液中，用铝箔把烧杯口密封后，放入水浴锅中进行恒温反应，制备得到了ZnS_1-xSe_x半导体薄膜层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于具体包括以下步骤： 

Na₂SeSO₃溶液的制备：将5g硒粉、15gNa₂SO₃与160ml去离子水混合，恒温75^oC搅拌8h，过滤得到澄清的Na₂SeSO₃溶液；

化学反应前驱物的配制：首先量取0.5 mol/L的ZnSO₄·7H₂O溶液10 ml倒入容积为100ml的烧杯中，加入质量分数为80%的水合肼5 ml、质量分数为25%的氨水5～7ml；然后在持续搅拌的情况下加入步骤（1）所配制的Na₂SeSO₃溶液20 ml，接着将称量好的1～4g的硫脲SC(NH₂)₂粉末加入溶液中，最后用去离子水将溶液体积调至100ml；

在衬底上制备半导体薄膜：把已经清洗干净的衬底沿着烧杯壁竖直浸入溶液中，用铝箔把烧杯口密封后，放入50~80^oC的水浴锅中进行恒温反应，反应时间为2h；

反应结束后，将样品取出，并用去离子冲洗，以去除吸附在样品表面的胶体颗粒和絮状沉淀物，然后干燥，得到所需的ZnS_1-xSe_x半导体薄膜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：上述衬底是玻璃衬底、铜铟镓硒吸收层衬底、硅衬底或者金属衬底。