[发明专利]光刻对焦参数测试方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光刻工艺，特别是涉及一种光刻对焦参数测试方法。

背景技术

在半导体工艺中，光刻是较为常见和关键的步骤。光刻是一种利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。

要把图案准确地投射到光刻胶上，光刻中的对焦参数（focus）非常重要，准确的对焦参数能够使形成的图像清晰。

传统的获取对焦参数的方法是通过分片实验找出最佳对焦参数。具体地，是在测试晶圆上划分若干测试区域，对不同测试区域使用逐级梯度变化的对焦参数进行光刻成像，对应成像最清晰的测试区域的对焦参数即为最佳对焦参数。

然而上述方法忽略了晶圆内本身存在的高低起伏对对焦参数的影响，因而传统的分片实验所获得的对焦参数有时并不准确。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够获得准确的对焦参数的光刻对焦参数测试方法。

一种光刻对焦参数测试方法，包括：将测试晶圆表面划分为多个测试区域；为每个测试区域i分配预测试的对焦参数F_pi；根据所述测试区域i的高度H_i将所述预测试的对焦参数F_pi进行修正得到实际用于测试的对焦参数F_i；根据所述实际用于测试的对焦参数F_i对每个测试区域i进行光刻成像。

在其中一个实施例中，所述根据测试区域i的高度将所述预测试的对焦参数F_pi进行修正得到实际用于测试的对焦参数F_i的步骤具体为：获取所有测试区域的高度值H₁~H_n，并根据所有测试区域的高度值计算平均高度H_avg；按照下述公式计算每一个测试区域i的实际用于测试的对焦参数F_i：F_i=F_pi-（H_i-H_avg）。

在其中一个实施例中，所述测试区域为晶圆上的街区。

在其中一个实施例中，所述预测试的对焦参数自晶圆的中心向两侧分别均匀递增和递减。

在其中一个实施例中，所述预测试的对焦参数自晶圆的中心向两侧分别均匀递增和递减的幅度为0.1微米。

一种光刻对焦参数测试系统，包括：测试装置，用于对表面划分为多个测试区域的晶圆上的每个测试区域i，采用对应的对焦参数进行光刻成像；校正装置，根据所述测试区域i的高度H_i将所述预测试的对焦参数F_pi进行修正得到实际用于测试的对焦参数F_i；在测试时，所述测试装置采用的对焦参数为所述实际用于测试的对焦参数F_i。

在其中一个实施例中，所述校正装置具体用于：获取所有测试区域的高度值H₁~H_n，并根据所有测试区域的高度值计算平均高度H_avg；按照下述公式计算每一个测试区域i的实际用于测试的对焦参数F_i：F_i=F_pi-（H_i-H_avg）。

在其中一个实施例中，所述测试装置为步进扫描式，扫描方式为逐街区扫描。

在其中一个实施例中，所述校正装置以一个标准的中间值为基础按照均匀递增和递减的方式自动生成多个预测试的对焦参数。

在其中一个实施例中，所述均匀递增和递减的幅度为0.1微米。

上述测试方法和测试系统，在测试光刻对焦参数时，考虑了晶圆表面高低起伏因素的影响，并根据各个测试区域起伏情况对预测试的对焦参数进行修正，使得测试结果更为准确。

附图说明

图1为一实施例的光刻对焦参数测试方法流程图；

图2为晶圆表面测试区域的划分情况示意图；

图3为一实施例的光刻对焦参数测试系统。

具体实施方式

以下结合具体实施例和附图，对光刻对焦参数测试方法和光刻对焦参数测试系统进行进一步说明。

如图1所示，为一实施例的光刻对焦参数测试方法流程图。该方法包括以下步骤。