[发明专利]提高物理溅射成膜质量的方法无效
申请号: | 201210246238.3 | 申请日: | 2012-07-16 |
公开(公告)号: | CN103540902A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 刘善善;费强;李晓远 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/02 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 物理 溅射 质量 方法 | ||
1.一种提高物理溅射成膜质量的方法,包括:
步骤1、将晶片送入除水工艺腔去除吸附水及易挥发物处理;
步骤2、将晶片送入搬运腔等待;
步骤3、等待时间结束后,将晶片送入溅射工艺腔进行物理溅射成膜;
步骤4、成膜结束后,成膜完的晶片将会送入冷却腔进行冷却,整个成膜工艺结束。
2.如权利要求1所述提高物理溅射成膜质量的方法,其特征在于:步骤1之前还包括晶片准备步骤。
3.如权利要求1所述提高物理溅射成膜质量的方法,其特征在于:步骤2中所述将晶片送入搬运腔等待,等待时间范围为5-40秒。
4.如权利要求1所述提高物理溅射成膜质量的方法,其特征在于:步骤2中所述搬运腔中的温度为0-50摄氏度。
5.如权利要求1所述提高物理溅射成膜质量的方法,其特征在于:步骤2中所述搬运腔中的压力大于2.2托。
6.如权利要求5所述提高物理溅射成膜质量的方法,其特征在于:步骤2中所述搬运腔中的压力为2.5托。
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