[发明专利]一种基于CMP仿真模型的哑元综合优化方法

权利要求书

1.一种基于CMP仿真模型的哑元综合优化方法，其特征是，所述的方法是基于全芯片CMP精确仿真器和局部快速CMP仿真器进行哑元填充的迭代求解过程，其步骤包括：

步骤1：高精度全芯片CMP仿真，用全芯片CMP精确仿真器对待填充版图中的特定层进行仿真，得到CMP抛光后的高度形貌；

步骤2：统计全芯片的高度形貌，并计算有效热点；

步骤3：判断是否存在有效热点，如果存在有效热点则跳转步骤4；否则，哑元综合过程结束；

步骤4：对有效热点区域的网格进行步进式哑元填充，本发明提出两种填充策略：（4-A）选取最坏的有效热点区域进行步进式哑元填充、（4-B）对所有有效热点区域进行步进式哑元填充；

步骤5：利用局部区域快速CMP仿真器对填充后的有效热点区域进行局部快速仿真，更新局部表面高度形貌；

步骤6：在局部区域，计算有效热点；

步骤7：在局部区域，判断是否存有效热点，若存在局部有效热点，则返回步骤4；否则，返回步骤1。

2.按权利要求1所述的方法，其特征是，所述的步骤1中，不需要对全芯片CMP精确仿真器的原理和厂商进行限制，可以选择任何一款经过硅片数据验证且仿真精度满足芯片生产商要求的全芯片CMP仿真器，仿真得到芯片上每个网格处的高度。

3.按权利要求1所述的方法，其特征是，所述的步骤2中，全芯片形貌统计和有效热点的计算方法为：

首先，统计当前全芯片范围内的平均高度h_mean，计算公式为：

hmean=1m×nΣi=1mΣj=1nh(i,j)---(1)]]>

然后，计算全芯片范围内每个网格的高度与平均高度的偏差为：

λ(i,j)=h(i,j)-hmeanhmean---(2)]]>

根据芯片制造厂实际工艺需求给定一个高度偏差门限λ_tol，则|λ(i,j)|＞λ_tol的网格点被定义为高度偏差热点；特别的，λ(i,j)＞λ_tol的热点称为正偏差热点，λ(i,j)＜-λ_tol的热点称为负偏差热点；

网格密度D_t(i,j)定义为网格内所有图形的总面积占网格面积的比例，即：

Dt(i,j)=1STΣg∈Ti,jSg,---(3)]]>

其中，S_g是网格T_i,j中几何图形g的面积，S_T表示网格T_i,j的面积，i,j分别是网格T_i,j在芯片上所在行和列的索引，矩阵D_t(i,j)中元素即为网格T_i,j的密度；

网格的有效密度ρ(i,j)定义为：

ρ(i,j)=Σk=i-r/2i+r/2Σl=j-r/2j+r/2[Dt(k,l)×fw(k-i,l-j)]---(4)]]>

其中，f_w为周边网格对网格(i,j)的有效密度权重，r为有效密度影响距离；

则可以分别计算出正偏差热点网格的平均有效密度和负偏差热点网格的平均有效密度分别为：

ρ‾+=1N+Σλ(i,j)>λtolρ(i,j)ρ‾-=1N-Σλ(i,j)<-λtolρ(i,j)---(5)]]>

其中，N₊为正偏差热点网格的数目，N_-为负偏差热点网格的数目；

应填充热点定义为：

（1）若则定义负偏差热点为应填充热点；

（2）若则定义正偏差热点为应填充热点；

最终，定义填充余量大于零的应填充热点为有效热点。