[发明专利]一种加固集成电路内引线键合力的方法有效
申请号: | 201210246504.2 | 申请日: | 2012-07-17 |
公开(公告)号: | CN102751206A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 杨成刚;苏贵东;连云刚 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/607 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550018 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加固 集成电路 引线 合力 方法 | ||
1. 一种加固集成电路内引线键合力的方法,其特征在于引线键合检测结果表明如果整批工序产品符合工序质量要求,则直接进入封帽工序,如果不满足工序质量要求,则进入高温加固工序,再进行键合拉力检测后,直接进入封帽工序及其他后续工序;对于不符合质量要求的产品采取的措施是先进行内引线球焊键合或超声键合,实现金属与金属的直接焊接;再在惰性气体气氛或真空环境中,加热至键合系统低熔点键合材料熔点温度的50%~80%,即可达到加固键合强度、形成欧姆接触、提升键合力的目的。
2. 如权利要求1所述的方法,其特征在于所述金属与金属的直接焊接,是指除金-铝内引线键合系统外的内引线的直接焊接。
3. 如权利要求1所述的方法,其特征在于所述内引线球焊键合的具体做法是用球焊键合机,在氮气保护下将金丝露出劈刀的部分通过高电压电火花打火的方式瞬间烧成球状,再通过对劈刀加压力、加超声的条件下,与装在外壳底座上加热的芯片进行键合;内引线超声键合的具体做法是用超声键合机将露出劈刀部分的硅铝丝在加压力、加超声的条件下,与装在外壳底座上的芯片进行键合。
4. 如权利要求1所述的方法,其特征在于所述在惰性气体气氛中加热的工艺条件是:惰性气体是氮气或氩气,加热时间30分钟至 5 小时。
5. 如权利要求1所述的方法,其特征在于所述高真空环境中加热的工艺条件是:真空度控制在5×10-3Pa以下,键合材料是内引线材料和焊盘上键合区域的材料,加热时间30分钟至5小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造