[发明专利]非接插式的单/多匝充退磁线圈无效
| 申请号： | 201210246541.3 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102759721A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 彭辉;易忠;孟立飞;肖琦;刘超波;耿晓磊;张文彬;史尧宜 | 申请（专利权）人： | 北京卫星环境工程研究所 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12;H01F13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非接插式 多匝充 退磁 线圈 | ||
【权利要求书】：
1.一种非插接式的单匝充退磁线圈，包括平行设置的、在轴向方向上投影重叠的两个半圆形线圈，两个半圆形线圈各自的两端在两线圈轴线与线圈两端点连线构成的平面上沿同一轴向方向延伸到同一位置，其中，每个半圆形线圈的延伸末端分别和另一线圈的与其不在同一位置的延伸末端相连，从而构成完整的闭合电流回路，该充退磁线圈由一根导线绕制而成。
2.一种非插接式的多匝充退磁线圈，在权利要求1所述的单匝充退磁线圈基础上，由同一根导线经过多次绕制形成。
3.如权利要求1或2所述的线圈，其中，导线为铜导线、铜合金导线或铝导线。
4.如权利要求1或2所述的线圈，其中，两个半圆形线圈圆心的直线距离与其半径相等。
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