[发明专利]一种高效的太阳能电池制作方法有效
申请号: | 201210246980.4 | 申请日: | 2012-07-17 |
公开(公告)号: | CN102769070A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 余洋;职森森 | 申请(专利权)人: | 浙江贝盛光伏股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 裴金华 |
地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种高效的太阳能电池制作方法,其特征在于:包括以下步骤:
a) 对待生产的硅片依次进行制绒、扩散、刻蚀和去PSG工艺,制成一次半成品;
b) 将所述一次半成品的硅片置于加热的碱液中进行背面抛光处理,制成二次半成品;
c) 对所述二次半成品进行PECVD工艺,制成一面附有氮化硅薄膜的三次半成品;
d) 在所述三次半成品未附所述氮化硅薄膜的一面通过丝网印刷工艺印制背电场和背电极,并烧结,制成四次半成品;
e) 在所述四次半成品附有所述氮化硅薄膜的一面均匀涂覆一层磷液,采用激光按工艺要求的图形在所述氮化硅薄膜上扫描,形成细栅开槽,并在该细栅开槽处形成重掺杂发射极,制成五次半成品;
f) 将所述五次半成品放入包含有HF、NH3·H2O、PbCl2的混合溶液中,对该五次半成品附有所述氮化硅薄膜的一面进行活化,然后将活化后的五次半成品通过化学镀镍法在所述重掺杂发射极上沉积0.2~0.8μm厚的镍层,完成后烧结,制成六次半成品;
g) 在所述六次半成品的所述重掺杂发射极的镍层上沉积20~40μm厚的铜层,然后在该铜层上沉积1~5μm厚的银层,制成电池片成品。
2.根据权利要求1所述太阳能电池制作方法,其特征在于:在步骤a中,扩散过程中,先将所述硅片加热至810~830℃,采用POCl3作为扩散源进行扩散。
3.根据权利要求2所述太阳能电池制作方法,其特征在于:在扩散工艺中,扩散的延续时间为15~30分钟。
4.根据权利要求1所述太阳能电池制作方法,其特征在于:在步骤b中,所述碱液为质量比1~5%的NaOH溶液,所述加热的温度为75~85℃,所述抛光处理的延续时间为1~5分钟。
5.根据权利要求1所述太阳能电池制作方法,其特征在于:在步骤c中,所述PECVD工艺采用流量比为0.09~0.15的SiH4和NH3沉积至少两层总厚度为85~95nm的氮化硅薄膜;所述PECVD工艺过程中的温度为430~470℃,持续时间为10~15分钟。
6.根据权利要求1所述太阳能电池制作方法,其特征在于:在步骤d中,所述背电场通过丝网印刷铝浆制成,所述背电极通过丝网印刷银浆制成。
7.根据权利要求1所述太阳能电池制作方法,其特征在于:在步骤e中,所述磷液为包含有磷酸、酒精、水和丙酮的混合液,其中,磷酸的质量比为30~45%;所述涂覆为旋涂或喷涂方式。
8.根据权利要求7所述太阳能电池制作方法,其特征在于:所述激光为波长为500~550nm的绿光脉冲激光,激光功率2~10W。
9.根据权利要求1所述太阳能电池制作方法,其特征在于:在步骤f中,所述活化时间为25~40秒。
10.根据权利要求1所述太阳能电池制作方法,其特征在于:在步骤a中,扩散过程中,先将所述硅片加热至810~830℃,采用POCl3作为扩散源进行扩散;在扩散工艺中,扩散的延续时间为15~30分钟;在步骤b中,所述碱液为质量比1~5%的NaOH溶液,所述加热的温度为75~85℃,所述抛光处理的延续时间为1~5分钟;在步骤c中,所述PECVD工艺采用流量比为0.09~0.15的SiH4和NH3沉积至少两层总厚度为85~95nm的氮化硅薄膜;所述PECVD工艺过程中的温度为430~470℃,持续时间为10~15分钟;在步骤d中,所述背电场通过丝网印刷铝浆制成,所述背电极通过丝网印刷银浆制成;在步骤e中,所述磷液为包含有磷酸、酒精、水和丙酮的混合液,其中,磷酸的质量比为30~45%;所述涂覆为旋涂或喷涂方式;所述激光为波长为500~550nm的绿光脉冲激光,激光功率5~6W;在步骤f中,所述活化时间为25~40秒;在步骤g中,沉积银层的过程中,对完成沉积铜后的六次半成品施加一个电流为0.05~0.5A的电场。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江贝盛光伏股份有限公司,未经浙江贝盛光伏股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210246980.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的