[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210247224.3 申请日: 2012-07-17
公开(公告)号: CN103545448A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 周明杰;王平;钟铁涛;张振华 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平;生启
地址: 518100 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层,发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时,发光层就产生光辐射。

有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后,会引起有机电致发光器件内部元件的材料发生老化进而失效,从而所述有机电致发光器件的寿命较短。

发明内容

基于此,有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件,包括依次层叠的导电基底、发光层、阴极、保护层、阻挡层及封装盖,保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌,所述阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及氢化氮化物膜,所述氧化物膜的材料为SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2或Ta2O5,所述氢化氮化物膜的材料为Si3N4:H、AlN:H、BN:H、SiN:H、TaN:H或TiN:H;封装盖将发光层、阴极、保护层及阻挡层封装于导电基底上,封装盖为铝箔。

在其中一个实施例中,所述氢化氮化物膜采用反应溅射制备。

在其中一个实施例中,所述阻挡层为3个~5个,多个所述阻挡层依次层叠。

在其中一个实施例中,所述封装盖与所述导电基底配合形成有收容腔,所述发光层、阴极、保护层及阻挡层均收容于所述收容腔。

一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:

在导电基底上形成发光层;

在所述发光层上形成阴极;

在所述阴极上形成保护层,所述保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌;

在所述保护层上形成阻挡层,所述阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及氢化氮化物膜,所述氧化物膜的材料为SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2或Ta2O5,所述氢化氮化物膜的材料为Si3N4:H、AlN:H、BN:H、SiN:H、TaN:H或TiN:H;及使用封装盖将所述发光层、阴极、保护层及阻挡层封装于所述导电基底上,所述封装盖为铝箔。

在其中一个实施例中,通过涂布封装胶使所述封装盖与所述导电基底密封连接以将所述发光层、阴极、保护层及阻挡层封装于所述导电基底上。

在其中一个实施例中,所述阻挡层为3个~5个,多个所述阻挡层依次层叠。

在其中一个实施例中,所述氧化物膜采用非反应溅射制备,本底真空度为1×10-3Pa~1×10-4Pa,靶材为SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2或Ta2O5

在其中一个实施例中,所述氢化氮化物膜采用反应溅射制备,本底真空度为1×10-3Pa~1×10-4Pa,靶材为Si、Al、B、Si、Ta或Ti,通入气体为氨气和氩气的混合气体,其中所述混合气体中氨气的体积百分含量为1%~9%。

上述有机电致发光器件及其制备方法,保护层可以保护阴极,避免阴极在后续的制备工艺中受破坏,阻挡层的氧化物膜及氢化氮化物膜的致密性高,二者配合可以有效的阻挡水气的腐蚀;氢化氮化物膜可以降低膜层之间的应力;封装盖可有效的提高防水氧能力,从而有机电致发光器件的寿命较长。

附图说明

图1为一实施例的有机电致发光器件的结构示意图;

图2为一实施例的有机电致发光的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。

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