[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电基底、发光层及阴极，其特征在于：所述有机电致发光器件还包括依次层叠于所述阴极上的保护层及阻挡层，所述保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，所述阻挡层包括依次层叠的第一碳化物膜、第二碳化物膜及有机阻挡膜，所述第一碳化物膜的材料为SiC:H、WC:H、TaC:H、BC:H、TiC:H或HfC:H，所述第二碳化物膜的材料为SiC、WC、TaC、BC、TiC或HfC，所述有机阻挡膜的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯树脂或脂肪族环氧树脂；

所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述发光层、阴极、保护层及阻挡层封装于所述导电基底上，所述封装盖的材料为PET镀铝膜。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述第一碳化物膜采用反应溅射制备，所述第二碳化物膜采用非反应溅射制备。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述阻挡层为3个~5个，多个所述阻挡层依次层叠。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述封装盖与所述导电基底配合形成有收容腔，所述发光层、阴极、保护层及阻挡层均收容于所述收容腔。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在导电基底上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极；

在所述阴极上形成保护层，所述保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌；

在所述保护层上形成阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的第一碳化物膜、第二碳化物膜及有机阻挡膜，所述第一碳化物膜的材料为SiC:H、WC:H、TaC:H、BC:H、TiC:H或HfC:H，所述第二碳化物膜的材料为SiC、WC、TaC、BC、TiC或HfC，所述有机阻挡膜的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯树脂或脂肪族环氧树脂；及

使用封装盖将所述发光层、阴极、保护层及阻挡层封装于所述导电基底上，所述封装盖的材料为PET镀铝膜。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：通过涂布封装胶使所述封装盖与所述导电基底密封连接以将所述发光层、阴极、保护层及阻挡层封装于所述导电基底上。

7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述阻挡层为3个~5个，多个所述阻挡层依次层叠。

8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述第一碳化物膜采用反应溅射制备，本底真空度为1×10^-3Pa~1×10^-4Pa，靶材为Si、W、Ta、B、Ti或Hf，通入气体为由甲烷和氩气混合形成的混合气体，其中混合气体中甲烷的体积百分含量为1%~15%。

9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述第二碳化物膜采用非反应溅射制备，本底真空度为1×10^-3Pa~1×10^-4Pa，靶材为SiC、WC、TaC、BC、TiC或HfC，通入气体为氩气。