[发明专利]铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210247242.1 申请日: 2012-07-17
公开(公告)号: CN102757232A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 樊慧庆;彭彪林;李强 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/499;C04B35/01
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 铌镁酸铅 钛酸铅 陶瓷 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种钛酸铅陶瓷的制备方法,特别是涉及一种铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷的制备方法。

背景技术

大部分研究人员集中于研究BaxSr1-xTiO3,(Sr,Pb)TiO3,Ba(Zr,Ti)O3 or (Ba,Sn)TiO3等体系,但是因为工艺和配比方面的问题,这些材料的介电损耗和介电调谐率并不能同时满足仪器的使用需求。

文献“R.Wongmaneerung.R.Yimnirun.S.Ananta.Fabrication and characterization of perovskite ferroelectrric PMN/PT ceramic nanocomposites.J Mater Sci(2009)44:5428-5440”公开了一种铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷的制备方法,文献用传统的陶瓷制备方法制备了铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷,用二次预合成的方法在300K,1KHz的条件下制备的PMN-PT陶瓷,虽然得到了较高的介电常数(~2000),但所得的介电损耗(~0.03)较大。

发明内容

为了克服现有的方法制备的铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷介电损耗大的不足,本发明提供一种铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷的制备方法。该方法通过优化钛酸铅陶瓷的配比,合理控制陶瓷预合成和烧结的温度,可以获得介电常数较高、介电损耗较低及调谐率较高的陶瓷材料。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷的制备方法,其特点是包括以下步骤:

(a)将分析纯MgO、Nb2O5、PbO和TiO2,按照化学计量比(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0.01≤x≤0.07)称量并且配料;

(b)将配料放入球磨罐中,按氧化锆球:配料:酒精为3:1:1的比例混料球磨,球磨时间为2-5小时;

(c)将混料烘干后压块,在1000-1300℃温度进行预合成,得到MgNb2O6粉体;

(d)再按照化学计量比(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0.01≤x≤0.07)分别称量TiO2和PbO加入经过预烧的MgNb2O6粉体中;

(e)将是步骤(d)制备得到的粉体放入球磨罐中,再球磨4-10小时,烘干后过筛;

(f)将经过步骤(e)再球磨的料烘干后压大块,在900-1200℃温度下煅烧2-8小时得到PMN-PT粉体;

(g)将步骤(f)得到的PMN-PT粉体过筛后预压成直径为10-12mm,厚度为1-1.2mm的圆片,然后在200-300MPa的等静压压力下成型;

(h)将成型后的圆片在1175-1250℃下保温1-4小时,烧结成瓷,经打磨抛光后涂敷银浆,在500-550℃下,保温20-30分钟烧成银电极。

本发明的有益效果是:由于单一的铌镁酸铅陶瓷介电常数不高,本发明综合两种不同体系的特点,将两种体系复合在一起,制备的铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷具有铌镁酸铅和钛酸铅这两种不同体系的综合性能。在与背景技术温度相同的温度下(300K),有较高的介电常数,同时保持较低的介电损耗(0.007~0.011)和较高的调谐率(63%~87%)。

下面结合附图和实施例对本发明作详细说明。

附图说明

图1是本发明方法四个实施例所制备铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷的X射线衍射图谱。

图2是本发明方法实施例3所制备铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷,在不同频率下介电常数和介电损耗随温度变化的关系曲线。

图3是本发明方法实施例3所制备铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷,在不同频率下调谐率随外加电场的变化关系。

具体实施方式

以下实施例参照图1~3。

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