[发明专利]一种有源选址单片式LED微显示器无效

专利信息
申请号: 201210248116.8 申请日: 2012-07-18
公开(公告)号: CN102750904A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 刘纪美;刘召军;俞捷;庄永漳;黄嘉铭 申请(专利权)人: 刘纪美
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100088 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 有源 选址 单片 led 显示器
【权利要求书】:

1.一种有源选址单片式LED微显示器,包括LED阵列和硅基有源驱动基板,所述LED阵列和硅基有源驱动基板通过倒装芯片技术键合在一起,其特征在于,

所述LED阵列包括多个LED像素,每一行LED像素的N电极均连接到总线,所述总线连接到每一行最右端的公共阴极,所述每一行LED像素的P电极相互独立,在每一个P电极上都有一个金属焊盘,金属焊盘通过焊球分别连接到所述硅基有源驱动基板的输出端;

所述硅基有源驱动基板包括电源、数据信号输入端、扫描信号输入端和多个像素驱动电路,每个所述像素驱动电路为对应的一个所述LED像素提供驱动电流;

每个所述像素驱动电路包括第一P-MOS晶体管、第二P-MOS晶体管和一个电容,所述第一P-MOS晶体管作为开关晶体管,所述第二P-MOS晶体管作为驱动晶体管;

所述第一P-MOS晶体管的栅极与所述扫描信号输入端相连,漏极与所述数据信号输入端相连,源极与所述第二P-MOS晶体管的栅极相连,所述第二P-MOS晶体管的栅极和源极之间连接所述电容,所述第二P-MOS晶体管的源极连接所述电源,所述第二P-MOS晶体管的漏极作为所述硅基有源驱动基板的输出端,所述输出端与所述LED像素的P电极相连。

2.根据权利要求1所述的有源选址单片式LED微显示器,其特征在于,数据信号通过所述第一P-MOS晶体管加到所述第二P-MOS晶体管的栅极,并同时被储存在所述电容中。

3.根据权利要求1所述的有源选址单片式LED微显示器,其特征在于,在所述LED阵列中的每一个LED像素的P电极上制作金属焊盘,同时在每个所述像素驱动电路的输出端制作金属焊球,通过回流处理,将所述金属焊盘和所述金属焊球键合在一起。

4.根据权利要求1所述的有源选址单片式LED微显示器,其特征在于,所述LED像素依次由蓝宝石衬底、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、镍金叠层和二氧化硅层组成,在二氧化硅层的上面开孔并露出倒装焊的焊盘区域,并且在LED像素的P电极和N电极区域沉积钛铝合金叠层作为电极。

5.根据权利要求1所述的有源选址单片式LED微显示器,其特征在于,所述第一P-MOS晶体管和第二P-MOS晶体管可以为p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管、n-型非晶硅薄膜晶体管、p型非晶硅薄膜晶体管、n-型聚晶体硅薄膜晶体管、p型多晶硅薄膜晶体管、n型SOI晶体管或p型SOI晶体管。

6.根据权利要求1所述的有源选址单片式LED微显示器,其特征在于,所述第二P-MOS晶体管的宽长比足够大,以保证有足够的输出电流来驱动所述LED像素。

7.根据权利要求6所述的有源选址单片式LED微显示器,其特征在于,所述第二P-MOS晶体管的宽长比=900微米/5微米。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的有源选址单片式LED微显示器,其特征在于,所述LED阵列为8×8的LED阵列,其包含有64个发光波长为440纳米的的LED像素,所述LED像素发出的光为蓝光。

9.根据权利要求8所述的有源选址单片式LED微显示器,其特征在于,所述硅基有源驱动基板上的像素驱动电路为8×8的像素驱动电路。

10.根据权利要求9所述的有源选址单片式LED微显示器,其特征在于,所述64个像素驱动电路都具有相同的驱动能力,以使所述LED像素的亮度一致。

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