[发明专利]化学机械抛光水性组合物及钛基片化学机械抛光工艺方法

权利要求书

1.一种化学机械抛光水性组合物，其特征在于，包含：

1-20重量%，优选4—6重量%的磨料；

0.5-10重量%，优选0.9-3重量%的氧化剂；

0.01-10重量%，优选0.1-2重量%的络合剂；以及

0.1-10重量%，优选1-5重量%的缓蚀成膜剂，

其中，所述化学机械抛光水性组合物的pH值为1.0-7.0，优选1.5-4.0。

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光水性组合物，其特征在于，所述磨料为选自二氧化硅、二氧化铈、氧化铝、氧化锆、氧化钛和氧化锗的至少一种，优选胶体二氧化硅，

任选地，所述胶体二氧化硅的平均粒度为10-200纳米，优选10-50纳米。

3.根据权利要求1所述的化学机械抛光水性组合物，其特征在于，所述氧化剂为选自无机过氧化合物和有机过氧化合物的至少一种，优选过氧化氢。

4.根据权利要求1所述的化学机械抛光水性组合物，其特征在于，所述络合剂为选自氨、多聚氰酸、多聚氰酸盐、磷酸盐、焦磷酸盐、偏磷酸盐、多聚磷酸盐、氮川三乙酸钠、乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸盐、二乙烯三胺五乙酸、二乙烯三胺五乙酸盐、羟乙基乙二胺三乙酸、乙二醇二乙醚二胺四乙酸、二羟基甘氨酸、草酸、酒石酸、柠檬酸、葡萄糖酸、氨基乙酸、丙氨酸、谷氨酸、脯氨酸、羟谷氨酸、羧甲基羟基丙二酸、羧甲基羟基丁二酸、羟乙基氨基乙酸、草酰胺、氟化钠、氟化钾和氟化铵的至少一种，优选氟化铵。

5.根据权利要求1所述的化学机械抛光水性组合物，其特征在于，所述缓蚀成膜剂为分子含有选自-SO₃^-、-PO₄^2-、-CONH₂和-COO^-的至少一种活性基团的有机化合物，优选为含有-PO₄^2-和-COO^-的至少一种活性官能团的有机化合物，

任选地，所述缓蚀成膜剂为选自氨基二甲叉膦酸盐、氨基三甲叉膦酸盐、羟乙基乙二胺三甲叉膦酸盐、乙二胺四甲叉膦酸盐、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐、2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸、羟基亚乙基二膦酸、氨基三亚甲基膦酸、木质素磺酸钠、羟甲基纤维素、乳酸、氨基磺酸、聚丙烯酸和单宁的至少一种，优选2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸和乳酸的至少一种。

6.根据权利要求1所述的化学机械抛光水性组合物，其特征在于，利用pH调节剂调节所述化学机械抛光水性组合物的pH值，其中所述pH调节剂为无机或有机酸碱，

任选地，所述pH调节剂为选自硫酸、盐酸、硝酸、磷酸、氢氧化钾、氨水、乙醇胺和三乙醇胺的至少一种。

7.一种钛基片化学机械抛光工艺方法，其特征在于，

利用权利要求1-6任一项所述的化学机械抛光水性组合物，对所述钛基片依次进行初抛光和精抛光。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述初抛光采用硬质抛光垫进行，优选IC1000聚氨酯抛光垫，其中所述硬质抛光垫的肖氏D级硬度值为约60。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述精抛光采用软质抛光垫进行，优选工业用二步抛光垫，其中所述软质抛光垫的肖氏D级硬度值为约27。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在1.0Psi抛光压力下进行所述初抛光和精抛光，

任选地，利用抛光机，优选UNIPOL-1502型单面抛光机进行所述初抛光和精抛光。