[发明专利]封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种封装结构，包含：

一上盖晶圆，具有一光学元件，该上盖晶圆的一表面具有一高低差，该高低差大于20微米；

一元件晶圆；以及

一接合材，具有一宽度并连续地环绕该光学元件而设置于该上盖晶圆及该元件晶圆之间，且该宽度介于10微米至150微米；

其中，该接合材气密接合该上盖晶圆及该元件晶圆，因而使该封装结构具有小于5e^-8atm-cc/sec的一漏气率。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，更包含一中介层连续地环设于该上盖晶圆的该表面以定义该高低差。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，该接合材设于该中介层上。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该接合材包含胶体，以及金属或半导体。

5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，该材料为金、锡、铟、银、铜、锗、硅、金锡或锡银铜等合金材料。

6.一种封装方法，包含：

提供具有一表面的一高低差大于20微米的一上盖晶圆；

提供一元件晶圆；以及

连续地涂布环设具有一宽度介于50微米至100微米的一接合材于该上盖晶圆及该元件晶圆之间，以提供具有一漏气率小于5e^-8atm-cc/sec的一封装结构。

7.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，连续地涂布环设该接合材于该上盖晶圆及该元件晶圆之间后，该封装方法更包含一退火的步骤。

8.如权利要求7所述的封装方法，其特征在于，该退火的步骤于80至300度的一温度进行。

9.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，更包含一晶圆级封装工艺，以将该上盖晶圆及该元件晶圆接合。

10.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，该接合材包含胶体，以及金属或半导体。

11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，该材料为金、锡、铟、银、铜、锗、硅、金锡、锡银铜等合金材料。