[发明专利]一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管无效
| 申请号： | 201210248777.0 | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102779839A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;李巍;张蒙;李长安;张金平;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 能级 杂质 注入 绝缘 极性 晶体管 | ||
1.一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，其元胞结构如图2所示，包括有源发射极（1），多晶硅栅电极（2），金属集电极（3），二氧化硅栅氧化层（4），N+有源区（5），P型基区（6），P+体区（7），N-漂移区（8），N+电场终止层（9），P+集电区（10）；器件从底层往上依次是金属化集电极（3）、P型集电区（10）、N+电场终止层（9）、N-漂移区（8），P型基区（6）位于N-漂移区（8）顶部两侧，P型基区（6）内具有N+有源区（5），P+体区（7）位于P型基区（6）下方的N-漂移区（8）两侧、且与P型基区（6）和N-漂移区（8）分别接触；元胞表面两侧分别与N+有源区（5）和P型基区（6）接触的是有源发射极（1），元胞表面中间分别与N+有源区（5）、P型基区（6）和N-漂移区（8）接触的是二氧化硅栅氧化层（4），二氧化硅栅氧化层（4）表面是多晶硅栅电极（2），多晶硅栅电极（2）与有源发射极（1）之间填充绝缘介质；所述N-漂移区（8）内部掺杂了深能级N型杂质。
2.根据权利要求1所述的具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，所述深能级N型杂质的掺杂元素包括硫、硒、金、碲或铂。
3.根据权利要求1所述的具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，所述的深能级N型杂质在N-漂移区（8）内部分区域或全部区域注入，其注入位置和厚度可调。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210248777.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
